半导体装置制造方法及图纸

技术编号：41392956 阅读：8 留言：0更新日期：2024-05-20 19:15

半导体装置(1)是具有在第一方向上延伸的第一栅极沟槽(17)以及形成得比第一栅极沟槽(17)深的第二栅极沟槽(27)、形成在第一栅极沟槽(17)内部的第一栅极绝缘膜(16)及第一栅极导体(15)、和形成在第二栅极沟槽(27)内部的第二栅极绝缘膜(26)及第二栅极导体(25)的纵型场效应晶体管(10)，第一栅极导体(15)和第二栅极导体(25)是相同电位，设第一栅极沟槽(17)的条数为n时，第二栅极沟槽(27)的条数是2以上且n+1以下，在与低浓度杂质层(33)的上表面平行且与第一方向正交的第二方向上，设置第一栅极沟槽(17)和第二栅极沟槽(27)的区域的最端部被设置上述第二栅极沟槽(27)。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置，特别涉及芯片尺寸封装型的半导体装置。

技术介绍

1、在具备栅极沟槽的纵型场效应晶体管中，已知耐压和导通电阻存在折中的关系。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016－219774号公报

5、专利文献2：日本专利第6509674号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、在具备栅极沟槽的纵型场效应晶体管中，要求一边维持耐压一边降低导通电阻，并且降低当在漏极－源极间施加电压时在栅极沟槽的底端附近产生的电场强度，提高对于可靠性的下降的耐性。

3、在专利文献1及专利文献2中，公开了纵型场效应晶体管的构造，公开了优化处于折中关系的特性的构造。

4、用于解决课题的手段

5、为了解决上述的课题，本公开的半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，是纵型场效应晶体管，具有：第1导电型的半导体衬底，含有上述第1导电型的杂质；上述第1导电型的低浓度杂质层，在上述半导体衬底上相接而形成，含有比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质浓度低的浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层；上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域；源极电极，与上述体区域及上述源极区域电连接；第一栅极沟槽，从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成为到上述低浓度杂质层的一部分为止的深度，具有与上述源极区域接触的部分

6、根据该结构，能够降低导通电阻，并且能够提高针对当在漏极－源极间施加电压时成为可靠性下降的要因的电场强度的耐性。

7、专利技术效果

8、本公开的目的在于，提供能够一边维持耐压一边降低导通电阻并且实现可靠性提高的半导体装置。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村浩尚，大河亮介，安田英司，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：

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