System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电系统技术方案_技高网

一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电系统技术方案

技术编号:40489455 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-26 19:20
本发明专利技术公开了一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电系统,该系统的运行方法包括以下步骤:步骤一:通过各类元器件实现正负电压供电;步骤二:通过电阻配置确保稳压器输出电压正确;步骤三:通过引入闭环设计,以确保正电压和负电压的精确性和稳定性,其中,所述正负电压供电模块,用于提供所需的正电压和负电压,以满足驱动电路的电源需求;所述电阻配置模块,用于配置电路中的电阻元件,以调整正负电压的水平,以满足不同应用需求;所述闭环设计模块,用于确保正电压和负电压的精确性和稳定性,通过反馈电路监测和调整电路的输出,以保持电压在所需范围内;本发明专利技术,具有输出电压高度稳定且精确的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子,具体为一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电系统。


技术介绍

1、在电机驱动用逆变系统中,常见的功率半导体器件包括igbt(绝缘栅双极型晶体管)和sicmosfet(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件在实际应用中需要适当的驱动电压来确保它们正常工作。

2、然而,目前存在一些问题需要解决:首先是驱动电压设置不够灵活,如果需要更改驱动电压,就必须重新设计变压器的匝比,这导致了兼容性问题。而且,由于系统采用了开环输出,变压器的交叉调整率对正负电压输出精度造成了挑战。最后同样由于开环输出,系统容易受到电源输入扰动或负载瞬变的影响,可能导致正负电压输出出现过压情况,从而需要额外的tvs(穿透式电压抑制二极管)保护电路,增加了成本。

3、对这些问题的改进,现在也有了相应的技术方案,例如,引入了分压电阻和稳压管来满足不同驱动电压等级的需求。虽然相对于之前存在的问题,有些改善,但是却依然存在着变压器的交叉调整率对正负电压输出精度造成影响,以及导致正负电压输出出现过压情况等。因此,设计输出电压高度稳定且精确的一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电系统是很有必要的。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电系统,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术提供如下技术方案:一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电系统,该系统的运行方法包括以下步骤:

3、步骤一:通过各类元器件实现正负电压供电;

4、步骤二:通过电阻配置确保稳压器输出电压正确;

5、步骤三:通过引入闭环设计,以确保正电压和负电压的精确性和稳定性。

6、根据上述技术方案,所述通过各类元器件实现正负电压供电的步骤,包括:

7、ic1用于提供所需的正电压;

8、ic2用于提供所需的负电压;

9、r6配置以确保ic2内部电流大于0.1ma。

10、根据上述技术方案,所述ic1用于提供所需的正电压的步骤,包括:

11、如图4所示,ic1是一款输出电压可调的低压差线性稳压器,ic1被设计用于提供所需的正电压,其输出电压可以根据应用需求进行调整,,该调整是通过配置电路中的两个电阻元件r1和r2来实现,电路中的r1和r2元件可以以不同的电阻值配置,以满足所需的正电压水平,其中,正电压的计算公式如下:vp+=va*(1+r1/r2),va代表ldo内部参考基准源的电压,通过调整r1和r2的值,可以实现所需的正电压输出,这种方法使电压更具灵活性,以适应不同的应用需求,同时保持稳定性和精确性。

12、根据上述技术方案,所述ic2用于提供所需的负电压的步骤,包括:

13、ic2是一款可调节的精密基准稳压器,ic2被用于提供所需的负电压,其输出电压可以根据应用需求进行调整,与正电压供电部分类似,负电压的调整也通过配置电路中的两个电阻元件r3和r4来实现,电路中的r3和r4元件可以以不同的电阻值配置,以满足所需的负电压水平,负电压的计算公式如下:vn-=vref*(1+r3/r4),其中,vref代表ic2内部基准源的电压,通过调整r3和r4的值,可以实现所需的负电压输出。

14、根据上述技术方案,所述通过电阻配置确保稳压器输出电压正确的步骤,包括:

15、为了保证ic2正常工作,特别是为了确保ic2的稳压器内部能够提供足够的参考基准电压并保持稳定,需要合理配置电阻r6、r7和r9,r6的目的是控制流入ic2引脚1的电流,r6被设置为一个合适的电阻值,以确保流入ic2的电流大于0.1ma,这是为了保持ic2内部运放的稳定工作,r7和r9是用于反馈电路的电阻,它们帮助稳定驱动ic2引脚2的电压,通过合理配置这两个电阻,可以确保电路的负反馈机制正常工作,从而保持ic2引脚2的电压稳定。

16、根据上述技术方案,所述通过引入闭环设计,以确保正电压和负电压的精确性和稳定性的步骤,包括:

17、引入闭环设计以确保正负电压的精确性和稳定性;

18、反馈电路监测ic2的输出电压,并调整以维持设定值;

19、系统监测通过比较实际输出电压与预定值,自动进行调整,确保电压保持稳定。

20、根据上述技术方案,所述引入闭环设计以确保正负电压的精确性和稳定性的步骤,包括:

21、将正电压产生和负电压产生过程连接为一个闭环系统,以实现电压的高度可控性和精确性,正电压和负电压的产生是通过两个高精度的稳压器,即ic1和ic2来实现的,这两个稳压器的输出电压是根据它们内部的参考基准电压进行并联电阻分压来确定的,这种并联电阻分压的方法允许我们根据应用需求轻松地调整正负电压的水平,以满足不同的工作要求。

22、根据上述技术方案,所述反馈电路监测ic2的输出电压,并调整以维持设定值的步骤,包括:

23、引入了反馈电路,以确保电路的输出电压始终保持在所需的范围内,具体来说,反馈电路负责监测ic2的输出电压,然后将这个信息反馈给系统,以调整电路的操作,反馈电路通常包括一个比较器或运算放大器,它与ic2的输出端相连,当ic2的输出电压偏离了设定值时,比较器会产生一个错误信号,这个错误信号随后被传送到控制电路,控制电路会相应地调整ic1和ic2的输出电压,以使其回到设定值。

24、根据上述技术方案,所述该系统包括:

25、正负电压供电模块,用于提供所需的正电压和负电压,以满足驱动电路的电源需求;

26、电阻配置模块,用于配置电路中的电阻元件,以调整正负电压的水平,以满足不同应用需求;

27、闭环设计模块,用于确保正电压和负电压的精确性和稳定性,通过反馈电路监测和调整电路的输出,以保持电压在所需范围内。

28、根据上述技术方案,所述正负电压供电模块包括:

29、正电压供电模块,用于实现正电压供电,使用ic1这一可调的低压差线性稳压器,配置电阻元件r1和r2,以调整正电压的输出,以满足应用需求;

30、负电压供电模块,用于负电压供电部分,使用ic2这一可调节的精密基准稳压器,同样,配置电阻元件r3和r4,以调整负电压的输出,以满足应用需求;

31、配置电路元件模块,用于合理配置电路元件r6、r7和r9,以确保负电压的稳定性。

32、与现有技术相比,本专利技术所达到的有益效果是:本专利技术,通过各类元器件实现正负电压供电,保证电压精度和稳定性,具体步骤包括使用稳压器(如ic1和ic2)来产生正负电压,调整电阻元件以满足电压要求,配置电阻(r6、r7、r9)以保持稳定性,还引入了闭环设计,通过反馈电路监测并调整电路输出,以保持电压稳定,同时实施系统监测来确保输出符合预定值,这个技术适用于需要高精度和稳定电压供应的场景,解决了电机驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,该方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,其特征在于:所述通过各类元器件实现正负电压供电的步骤,包括:

3.根据权利要求2所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,其特征在于:所述IC1用于提供所需的正电压的步骤,包括:

4.根据权利要求2所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,其特征在于:所述IC2用于提供所需的负电压的步骤,包括:

5.根据权利要求1所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,其特征在于:所述通过电阻配置确保稳压器输出电压正确的步骤,包括:

6.根据权利要求1所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,其特征在于:所述通过引入闭环设计,以确保正电压和负电压的精确性和稳定性的步骤,包括:

7.根据权利要求6所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电方法,其特征在于:所述引入闭环设计以确保正负电压的精确性和稳定性的步骤,包括:

8.根据权利要求6所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电系统,其特征在于:所述反馈电路监测IC2的输出电压,并调整以维持设定值的步骤,包括:

9.一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电系统,其特征在于:所述该系统包括:

10.根据权利要求9所述的一种兼容SICMOSFET与IGBT正负压驱动供电系统,其特征在于:所述正负电压供电模块包括:

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【技术特征摘要】

1.一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电方法,该方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电方法,其特征在于:所述通过各类元器件实现正负电压供电的步骤,包括:

3.根据权利要求2所述的一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电方法,其特征在于:所述ic1用于提供所需的正电压的步骤,包括:

4.根据权利要求2所述的一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电方法,其特征在于:所述ic2用于提供所需的负电压的步骤,包括:

5.根据权利要求1所述的一种兼容sicmosfet与igbt正负压驱动供电方法,其特征在于:所述通过电阻配置确保稳压器输出电压正确的步骤,包括:

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:李浩周宣任重远葛涛
申请(专利权)人:江苏金脉电控科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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