【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置。更具体地，本公开涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
技术介绍
1、集成电路是在一小片扁平的半导体材料(通常是硅)上的一组电子电路。集成电路可以基于标准单元来设计。例如，可以通过根据定义集成电路的数据布置标准单元并对标准单元进行布线来生成集成电路的布局。标准单元被预先设计并存储在单元库中。
2、随着半导体制造工艺生产具有更高集成度的集成电路，标准单元中的图案的尺寸可以减小，并且标准单元的尺寸也可以减小。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种半导体装置，该半导体装置通过在一个单元区域中在一个有源图案上形成两个上拉晶体管以减少一个单元区域中的有源图案的数量而具有增加的集成度。
2、本公开的实施例还提供了一种半导体装置，该半导体装置通过在第一单元区域中的两个上拉晶体管和与第一单元区域相邻的第二单元区域中的两个上拉晶体管之间设置有源切口并且将第一单元区域中的两个上拉晶体管和第二单元区域中的两个上拉晶体管布置成在水平方向上对准而具有增加的集成度。
3、本公开的实施例还提供了一种半导体装置，该半导体装置通过在第一单元区域中的两个下拉晶体管和与第一单元区域相邻的第二单元区域中的两个下拉晶体管之间设置有源切口并且将第一单元区域中的两个下拉晶体管和第二单元区域中的两个下拉晶体管布置成在水平方向上对准而具有增加的集成度。
4、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一
5、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域，第二单元区域在第一水平方向上与第一单元区域相邻；基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，在第一单元区域中在基底的第一表面上在第一水平方向上延伸，第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案在与第一水平方向不同的第二水平方向上彼此顺序地间隔开；第四有源图案，在第二单元区域中在基底的第一表面上在第一水平方向上延伸，第四有源图案在第一水平方向上与第二有源图案对准；有源切口，将第二有源图案与第四有源图案分离，有源切口与第二有源图案和第四有源图案中的每个接触；第一源极/漏极区域，设置在第一有源图案上；第二源极/漏极区域，设置在第二有源图案上；第三源极/漏极区域，设置在第三有源图案上；第一掩埋轨道，在基底的第二表面上在第一水平方向上延伸，第一掩埋轨道在竖直方向上与第一有源图案叠置；第二掩埋轨道，在基底的第二表面上在第一水平方向上延伸，第二掩埋轨道在竖直方向上与第二有源图案和第四有源图案叠置；第三掩埋轨道，在基底的第二表面上在第一水平方向上延伸，第三掩埋轨道在竖直方向上与第三有源图案叠置；第一下源极/漏极接触件，在竖直方向上穿透基底和第一有源图案，第一下源极/漏极接触件将第一源极/漏极区域电连接到第一掩埋轨道；第二下源极/漏极接触件，在竖直方向上穿透基底和第二有源图案，第二下源极/漏极接触件将第二源极/漏极区域电连接到第二掩埋轨道；以及第三下源极/漏极接触件，在竖直方向上穿透基底和第三有源图案，第三下源极/漏极接触件将第三源极/漏极区域电连接到第三掩埋轨道。
6、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域，第二单元区域在第一水平方向上与第一单元区域相邻；基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，在第一单元区域中在基底的第一表面上在第一水平方向上延伸，第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案在与第一水平方向不同的第二水平方向上彼此顺序地间隔开；第四有源图案，在第二单元区域中在基底的第一表面上在第一水平方向上延伸，第四有源图案在第一水平方向上与第二有源图案对准；第一栅电极，在第二有源图案上在第二水平方向上延伸；第二栅电极，在第二有源图案上在第二水平方向上延伸，第二栅电极在第一水平方向上与第一栅电极间隔开；第三栅电极，在第四有源图案上在第二水平方向上延伸，第三栅电极在第一水平方向上与第二栅电极间隔开；第四栅电极，在第四有源图案上在第二水平方向上延伸，第四栅电极在第一水平方向上与第三栅电极间隔开；第一上拉晶体管，形成在第二有源图案和第一栅电极交叉的位置；第二上拉晶体管，形成在第二有源图案和第二栅电极交叉的位置；第三上拉晶体管，形成在第四有源图案和第三栅电极交叉的位置；以及第四上拉晶体管，形成在第四有源图案和第四栅电极交叉的位置，其中，第一上拉晶体管至第四上拉晶体管中的每个在第一水平方向上对准。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一掩埋轨道是电源轨道，并且第二掩埋轨道和第三掩埋轨道中的每个是接地轨道。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一掩埋轨道是接地轨道，并且第二掩埋轨道和第三掩埋轨道中的每个是电源轨道。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源图案和第三有源图案中的每个在第一单元区域和第二单元区域中的每个中在第一水平方向上连续地延伸，并且
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源切口设置在第一单元区域与第二单元区域之间的边界上。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半
12.根据权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
15.根据权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，有源切口的侧壁的至少一部分与第二源极/漏极区域接触。
17.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
19.根据权利要求17所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
20.根据权利要求17所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一掩埋轨道是电源轨道，并且第二掩埋轨道和第三掩埋轨道中的每个是接地轨道。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一掩埋轨道是接地轨道，并且第二掩埋轨道和第三掩埋轨道中的每个是电源轨道。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源图案和第三有源图案中的每个在第一单元区域和第二单元区域中的每个中在第一水平方向上连续地延伸，并且
10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹锡玄，李敎旭，李承勳，朴乘汉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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