【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器是一种利用半导体将光转换为电信号的传感器。图像传感器包括由多个像素构成的像素阵列和负责驱动像素阵列并创建图像的逻辑电路。该传感器还可包括用于帮助聚焦在特定对象上的自动聚焦功能。最近，已经开发了一种新技术以通过将动态随机存取存储器(dram)电容器添加到浮置扩散(fd)节点来增强图像传感器的动态范围。
技术实现思路
1、专利技术构思提供具有在图像传感器中执行自动聚焦功能的能力的像素。这通过将电容器连接到浮置扩散节点而被实现。
2、根据专利技术构思的实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：多个第一光电转换元件，包括在像素的第一区域中；多个第二光电转换元件，包括在像素的第二区域中；第一溢出电容器，连接到所述多个第一光电转换元件，以存储第一光电转换元件的溢出电荷；第二溢出电容器，连接到所述多个第二光电转换元件，以存储第二光电转换元件的溢出电荷；以及一个或多个微透镜，设置在像素上。
3、根据专利技术构思的实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括在其中多个像素被布置的像素阵列，其中，像素阵列包括：第一像素，包括多个子像素；以及一个或多个自动聚焦(af)像素，包括多个子像素，其中，一个微透镜设置在af像素上方，其中，与包括在af像素中的第一子像素对应的光电二极管电连接到包括在af像素中的传输电路，其中，传输电路包括用于存储与第一子像素对应的光电二极管的溢出电荷的溢出电容器。
4、根据专利技
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一区域对应于微透镜的左侧，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述多个第一溢出栅极晶体管分别连接在所述多个第一光电转换元件与第一溢出电容器之间，
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的图像传感器，其中，第一溢出电容器和第二溢出电容器包括动态随机存取存储器电容器。
6.一种图像传感器，包括在其中多个像素被布置的像素阵列，
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，与包括在自动聚焦像素中的第二子像素对应的光电二极管不电连接到包括在自动聚焦像素中的传输电路。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，还包括：设置在第二子像素与微透镜之间的阻挡构件。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，阻挡构件包括光阻挡材料。
10.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，与第二子像素对应的光电二极管连接到像素电压和地电压。
11.根据权利要求7所述的图像
12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，与第二子像素对应的光电二极管连接到像素电压和地电压。
13.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，与微透镜重叠的子像素的数量是8。
14.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，第一子像素设置在微透镜的左侧或微透镜的右侧，
15.根据权利要求6至权利要求14中的任一项所述的图像传感器，其中，溢出电容器包括动态随机存取存储器电容器。
16.一种图像传感器，包括包含一个或多个自动聚焦像素的像素阵列，
17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，传输电路包括：
18.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，包括在与微透镜的第一区域对应的区域中的光电二极管电连接到传输电路，
19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中，包括在与微透镜的第二区域对应的区域中的光电二极管的光电荷和溢出电荷作为自动聚焦像素的像素电压而被排出。
20.根据权利要求16至权利要求19中的任一项所述的图像传感器，其中，溢出电容器包括动态随机存取存储器电容器。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一区域对应于微透镜的左侧，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述多个第一溢出栅极晶体管分别连接在所述多个第一光电转换元件与第一溢出电容器之间，
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的图像传感器，其中，第一溢出电容器和第二溢出电容器包括动态随机存取存储器电容器。
6.一种图像传感器，包括在其中多个像素被布置的像素阵列，
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，与包括在自动聚焦像素中的第二子像素对应的光电二极管不电连接到包括在自动聚焦像素中的传输电路。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，还包括：设置在第二子像素与微透镜之间的阻挡构件。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，阻挡构件包括光阻挡材料。
10.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，与第二子像素对应的光电二极管连接到像素电压和地电压。
11.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，与第二子像素对应的光电二极管...
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