System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 低噪声放大器及射频功放模组制造技术_技高网

低噪声放大器及射频功放模组制造技术

技术编号:40481957 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-26 19:15
本发明专利技术提供了一种低噪声放大器及射频功放模组,其中,所述低噪声放大器包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端。本发明专利技术中的低噪声放大器可以使其增益、噪声系数、IIP3指标以及电流保持一个平衡量,以提升其整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信,尤其涉及一种低噪声放大器及射频功放模组


技术介绍

1、随着无线通信技术的迅速发展,手机、平板等具备无线通信作用的电子设备已成为人们生活中的必需品,而接收机中的低噪声放大器作为电子设备中的关键一环,其性能的好坏直接影响了电子设备的体验感。

2、低噪声放大器的性能主要包含增益、噪声系数以及iip3,而在电子设备的应用中,随着输入信号的强度变化,低噪声放大器所需要的增益、噪声系数以及iip3指标也各不相同,通常来说,随着输入信号的增加,所需的增益则越低,iip3指标要求则越高,噪声系数则需要适当恶化。另外,为应对日渐提升的需要要求,功耗也成为了低噪声放大器的一个性能指标,在低增益的档位时,噪声系数、iip3指标和电流则需要保持一个平衡量,即使各指标保持在各自对应的量内,以提升低噪声放大器的整体性能。但相关技术中的低噪声放大器结构并不能使其增益、噪声系数、iip3指标以及电流保持一个平衡量,因此大大的降低了其整体性能。

3、所以,现急需一种新的低噪声放大器来解决上述问题。


技术实现思路

1、针对以上现有技术的不足,本专利技术提出了一种低噪声放大器及射频功放模组,以解决相关技术中的低噪声放大器结构并不能使其增益、噪声系数、iip3指标以及电流保持一个平衡量,从而降低了其整体性能的问题。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:

3、第一方面,本专利技术提供了一种低噪声放大器,其包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端;

4、所述输入匹配电路的输入端连接至所述信号输入端;

5、所述第一电阻的第一端连接至所述输入匹配电路的输出端,所述第一电阻的第二端用于连接第一偏置电压;

6、所述频偏补偿电路的输入端、所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极以及所述输入衰减电路的输入端分别连接至所述输入匹配电路的输出端;所述频偏补偿电路用于对接收到的信号进行处理,以将频率偏移进行补偿,从而使得信号能够被正确地解调和处理;

7、所述第三场效应管的栅极连接至所述输入衰减电路的第一输出端;所述第三场效应管的源极连接至所述输入衰减电路的第二输出端;所述输入衰减电路用于对接收到的信号进行衰减;

8、所述源极衰减电路的输入端分别连接至所述频偏补偿电路的输出端、所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极、所述输入衰减电路的第二输出端以及所述第三场效应管的源极,所述源极衰减电路的输出端接地;所述源极衰减电路用于对过驱动电压进行分压,并弱化漏电流和过驱动电压之间的非线性;

9、所述第四场效应管的源极连接至所述第一场效应管的漏极;

10、所述第五场效应管的源极连接至所述第二场效应管的漏极;

11、所述第六场效应管的源极连接至所述第三场效应管的漏极;所述第四场效应管的栅极、所述第五场效应管的栅极以及所述第六场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路;所述第五场效应管的漏极以及所述第六场效应管的漏极分别连接至所述第四场效应管的漏极;

12、所述衰减支路的输入端连接至所述第四场效应管的漏极,所述衰减支路的输出端接地;所述衰减支路用于通过电阻值来控制衰减量的大小;

13、所述第七场效应管的源极连接至所述第四场效应管的漏极;

14、所述第二电阻的第一端连接至所述第七场效应管的栅极,所述第二电阻的第二端用于连接第二偏置电压;

15、所述第一电容的第一端连接至所述第七场效应管的栅极,所述第一电容的第二端接地;

16、所述输出匹配电路的第一输入端连接至电源,所述输出匹配电路的第二输入端连接至所述第七场效应管的漏极;

17、所述输出衰减电路的输入端分别连接至所述第七场效应管的漏极以及所述输出匹配电路的输出端;所述输出衰减电路的输出端连接至所述信号输出端;所述输出衰减电路用于对输出的信号进行衰减。

18、优选的,所述输入衰减电路包括第八场效应管、第二电容、第三电阻、第四电阻、第九场效应管以及第十场效应管;

19、第八场效应管的源极作为所述输入衰减电路的输入端,所述第八场效应管的漏极分别作为所述输入衰减电路的第一输出端和所述输入衰减电路的第二输出端;

20、所述第二电容的第一端连接至所述第八场效应管的漏极;

21、所述第三电阻的第一端和所述第四电阻的第一端分别连接至所述第二电容的第二端;

22、所述第九场效应管的漏极连接至所述第三电阻的第二端;

23、所述第十场效应管的漏极连接至所述第四电阻的第二端;所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极以及所述第十场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路;所述第十场效应管的源极和所述第九场效应管的源极连接。

24、优选的,所述源极衰减电路包括第一电感、第二电感、第十一场效应管、第十二场效应管、第五电阻、第六电阻、第十三场效应管以及第十四场效应管;

25、所述第一电感的第一端作为所述源极衰减电路的输入端;

26、所述第二电感的第一端连接至所述第一电感的第二端;

27、所述第十一场效应管的漏极连接至所述第一电感的第二端;

28、所述第十二场效应管的漏极连接至所述第二电感的第二端;

29、第五电阻的第一端和所述第六电阻的第一端分别连接至所述第二电感的第二端;

30、所述第十三场效应管的漏极连接至所述第五电阻的第二端;

31、所述第十四场效应管的漏极连接至所述第六电阻的第二端;所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极以及所述第十四场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路;所述第十一场效应管的源极、所述第十二场效应管的源极、所述第十三场效应管的源极以及所述第十四场效应管的源极共同作为所述源极衰减电路的输出端。

32、优选的,所述衰减支路包括第三电容、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十五场效应管、第十六场效应管以及第十七场效应管;

33、所述第三电容的第一端作为所述衰减支路的输入端;

34、所述第七电阻的第一端、所述第八电阻的第一端以及所述第九电阻的第一端分别连接至所述第三电容的第二端;

35、所述第十五场效应管的漏极连接至所述第七电阻的第二端;

36、所述第十六场效应管的漏极连接至所述第八电阻的第二端;

37、所述第十七场效应管的漏极连接至所述第九电阻的第二端;所述第十五场效应管的栅极、所述第十六场效应管的栅极以及所述第十七场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路;所述第十五场效应管的源极、所述第十六场效应管的源极以及所述第十七场效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端;

2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输入衰减电路包括第八场效应管、第二电容、第三电阻、第四电阻、第九场效应管以及第十场效应管;

3.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述源极衰减电路包括第一电感、第二电感、第十一场效应管、第十二场效应管、第五电阻、第六电阻、第十三场效应管以及第十四场效应管;

4.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述衰减支路包括第三电容、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十五场效应管、第十六场效应管以及第十七场效应管;

5.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述频偏补偿电路包括第四电容、第五电容、第六电容、第十八场效应管以及第十九场效应管;

6.一种射频功放模组,其特征在于,所述射频功放模组包括如权利要求1至5任意一项所述的低噪声放大器。

...

【技术特征摘要】

1.一种低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端;

2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输入衰减电路包括第八场效应管、第二电容、第三电阻、第四电阻、第九场效应管以及第十场效应管;

3.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述源极衰减电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡杨君郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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