【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工技术，尤其涉及一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺。
技术介绍
1、作为信息技术的核心，集成电路近年来得到了迅猛的发展，这也对大尺寸硅单晶抛光片提出了更高的要求。但随着硅片尺寸的增加，在其生产加工过程中硅片边缘存在问题也逐渐暴露：1）硅片边缘上腐蚀产生的晶格缺陷或损伤极易在后道外延过程中引入正面缺陷或导致硅片加工中破裂；2）硅片边缘的颗粒及异物附着也存在被带入正表面的风险，导致良品率大大降低。为此，需要在硅片边缘引入抛光处理。
2、在硅片尺寸增大的同时，超薄硅单晶片的研制及生产也显得尤为重要。通常情况下，边缘抛光需要硅片边缘相对边缘抛光垫高速旋转，而机械稳定性较差的超薄硅片对机械应力和振动也更加敏感，从而在边缘抛光过程中，极易造成硅片弯曲甚至断裂。因此，目前对于厚度在500 μm以下的8英寸硅片通常不进行边缘抛光处理，这会对后续外延工序产生较大影响。
技术实现思路
1、针对以上现有技术存在的问题，本专利技术提供一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，该工艺在有效避免加工过程中碎片产生的同时，获得边缘低粗糙度、低残余应力硅片，且几乎不会对倒角角度造成影响，为后道外延加工提供技术支持。
2、本专利技术采取的技术方案是：一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，使用bbs公司生产的e-200 ver2.0高精度抛光机分别对硅片的v槽边缘和硅片的圆周边缘进行抛光。
3、一、硅片的v槽边缘抛光：边缘抛光垫相对硅片的v槽高速转动，转动速度为750rpm；
4、二、硅片的圆周边缘抛光：硅片与边抛鼓相对转动，此时硅片转速10 rpm，边抛鼓在硅片圆周运动的同时还进行上下往复运动，往复运动范围为10mm，速度为0.80mm/s；使用体积比为ep4000c1：纯水 =1：8的混合液作为硅片的圆周边缘抛光液，通过边抛鼓向心力对硅片圆周边缘进行抛光，加工时间为70s。
5、在所述步骤一中，硅片相对边缘抛光垫摆动角度应控制在36°~40°之间。
6、在所述步骤一中，边缘抛光垫施加压力应控制在6 n~8 n之间。
7、在所述步骤二中，边抛鼓转速应控制在210 rpm ~230 rpm之间。
8、本专利技术所产生的有益效果是：提供了一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺窗口，通过改进硅片边缘抛光工艺，控制v槽抛光过程中硅片相对边缘抛光垫摆动角度与边缘抛光垫施加压力和圆周抛光过程中边抛鼓转速，使硅片边缘均匀抛光，获得边缘质量较好的硅片，为后道外延加工提供技术支持。
9、本专利技术的优点在于，通过调整工艺参数提升硅片边缘质量，有效减少8英寸超薄硅片边缘抛光过程中碎片率的同时，几乎不会对倒角角度造成影响，且获得边缘低粗糙度、低残余应力硅片。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，其特征在于，使用BBS公司生产的E-200Ver2.0高精度抛光机分别对硅片的V槽边缘和硅片的圆周边缘进行抛光；
2.根据权利要求1所述的一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤一中，硅片相对边缘抛光垫摆动角度应控制在36°~40°之间。
3.根据权利要求1所述的一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤一中，
4.根据权利要求1所述的一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤二中，边抛鼓转速应控制在210 rpm ~230 rpm之间。
【技术特征摘要】
1.一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，其特征在于，使用bbs公司生产的e-200ver2.0高精度抛光机分别对硅片的v槽边缘和硅片的圆周边缘进行抛光；
2.根据权利要求1所述的一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤一中，硅片相对边缘抛光垫摆动角度应控...
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩铭，常建凯，田原，武永超，龚一夫，史延爽，张旭，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：
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