【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地涉及一种无损地掺杂半导体层的方法。
技术介绍
1、显示装置作为显示图像的装置，最近，发光显示装置的一种即发光显示装置(organic light emitting diode display)备受瞩目。
2、发光显示装置具有自发光特性，与液晶显示装置(liquid crystal displaydevice)不同，无需单独的光源，因此，可以减少厚度和重量。另外，发光显示装置表现出低的功耗、高的亮度以及高的响应速度等高品质特性。
3、通常，发光显示装置包括基板、位于基板上的多个薄膜晶体管、配置在构成薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的有机发光元件。
4、发光显示装置包括多个像素，各像素包括多个晶体管。晶体管包括多晶半导体。为了形成多晶半导体，经过通过激光等热处理对非晶半导体进行晶化的步骤。
技术实现思路
1、实施例用于提供一种无损地掺杂半导体层的显示装置的制造方法以及通过这种方法制造的显示装置。
2、根据一实施例的显示装置的制造方法包括：在基板形成半导体层的步骤；在所述半导体层涂布掺杂溶液的步骤；热处理涂布有所述掺杂溶液的半导体层来进行掺杂的步骤，所述掺杂溶液包括溶剂以及掺杂剂，所述掺杂剂包括硼酸三乙酯、三(三甲代甲硅烷基)硼酸盐、三甲基环三硼氧烷中的一个以上。
3、可以是，所述溶剂是选自聚甲基丙烯酸异丁酯(ibma)、α-松油醇、二乙二醇单丁基醚、聚二甲基硅氧烷
4、可以是，所述掺杂溶液中的掺杂剂的含量是0.05wt％至50wt％。
5、可以是，进行所述热处理的步骤包括一次热处理以及二次热处理，所述一次热处理在80℃至150℃的温度下进行2分钟至5分钟。
6、可以是，所述二次热处理在400℃至420℃的温度下进行30分钟至1小时。
7、可以是，在所述基板形成半导体层的步骤包括：在所述基板之上形成非晶硅的步骤；晶化所述非晶硅来形成多晶硅的步骤。
8、可以是，在热处理涂布有所述掺杂溶液的半导体层来进行掺杂的步骤中，所述掺杂在所述半导体层的上面中进行，在所述半导体层的下面中不进行。
9、可以是，在热处理涂布有所述掺杂溶液的半导体层来进行掺杂的步骤之后，与所述基板相接的半导体层下面包括未掺杂的未掺杂区域，所述半导体层的掺杂浓度随着从所述未掺杂区域前往所述半导体层的上面而增加。
10、可以是，在热处理涂布有所述掺杂溶液的半导体层来进行掺杂的步骤之后，所述半导体层的掺杂浓度随着从所述半导体层的上面前往所述半导体层的下面而缓慢减少。
11、可以是，在热处理涂布有所述掺杂溶液的半导体层来进行掺杂的步骤之后，在所述半导体层内不出现所述掺杂浓度的峰值。
12、可以是，在所述半导体层中涂布掺杂溶液的步骤利用喷墨、旋转涂层机或者模具涂层机进行。
13、根据一实施例的显示装置的制造方法包括：在基板形成半导体层的步骤；在所述半导体层涂布掺杂溶液的步骤；热处理涂布有所述掺杂溶液的半导体层来进行掺杂的步骤，所述掺杂溶液包括溶剂以及掺杂剂，所述掺杂剂包括h3po4、h3po3、三(三甲基硅基)磷酸酯中的一个以上。
14、可以是，所述溶剂是选自聚甲基丙烯酸异丁酯(ibma)、α-松油醇、二乙二醇单丁基醚、聚二甲基硅氧烷、聚环戊硅烷、聚硅氮烷(sog)、环己烷、环辛烷中的一个以上。
15、可以是，所述掺杂溶液中的掺杂剂的含量是0.05wt％至50wt％。
16、可以是，进行所述热处理的步骤包括一次热处理以及二次热处理，所述一次热处理在80℃至150℃的温度下进行2分钟至5分钟。
17、可以是，所述二次热处理在400℃至420℃的温度下进行30分钟至1小时。
18、可以是，根据一实施例的显示装置包括：基板；晶体管，包括位于所述基板之上的半导体层；发光元件，与所述晶体管连接，所述半导体层包括多晶硅以及掺杂物质，与所述基板相接的半导体层下面包括未掺杂的未掺杂区域，掺杂浓度随着从所述未掺杂区域前往所述半导体层的上面而增加。
19、可以是，所述掺杂物质是硼或者磷。
20、可以是，所述半导体层的掺杂浓度随着从所述半导体层的上面前往所述半导体层的下面而缓慢减少。
21、可以是，在所述半导体层内不出现所述掺杂浓度的峰值。
22、根据实施例，可以提供一种无损地掺杂半导体层的显示装置的制造方法以及通过这种方法制造的显示装置。
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1.一种显示装置的制造方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
8.一种显示装置的制造方法，包括：
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，
10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制造方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
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