System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备制造技术_技高网

化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备制造技术

技术编号:40474383 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-26 19:11
提供化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备,所述化合物由化学式1表示。在化学式1中,各取代基的定义如说明书中所描述的。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】

实例实施方式涉及化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式(嵌入有传感器的)显示面板、和电子设备。


技术介绍

1、近来,对于实施生物特征(biometric)识别技术的显示设备存在日益增加的需求,生物特征识别技术通过用集中于金融、医疗保健和移动设备的自动化设备提取人的特定生物特征信息或行为特征信息而对人进行验证(鉴别)。因此,正在对包括能够进行生物特征识别的传感器的显示设备进行研究。


技术实现思路

1、这样的能够进行生物特征识别的传感器可设置在显示设备的显示面板下面,或者可作为单独的模块单独制造并且安装在显示设备外部。当所述传感器设置在显示面板下面时,所述传感器配置成识别通过显示面板、各种膜、和/或部件识别的对象,具有改善的性能且具有改善的集成,克服在可与作为单独的模块制造和安装的传感器有关的设计和可用性方面的限制。因此,已经提出了包括能够通过与显示面板集成而改善性能的传感器的传感器嵌入式显示面板。

2、用在如上所述的传感器中的光电器件为利用光电效应将光转换成电信号的器件,并且可包括光电二极管和光电晶体管。

3、包括光电二极管的传感器(例如,图像传感器)具有较高的分辨率和较小的像素尺寸。目前,硅光电二极管被广泛使用,但是其具有恶化的灵敏度的问题,因为硅光电二极管由于小的像素而具有较小的吸收面积。因此,已经研究了能够代替硅的有机材料。

4、有机材料具有高的消光系数并且取决于分子结构而选择性地吸收在特定波长区域中的光,且因此可同时代替光电二极管和滤色器,且结果改善灵敏度和对高度集成做贡献。

5、因此,对可用在这些传感器中的有机材料存在增长的兴趣。

6、一些实例实施方式提供能够选择性地吸收在绿色波长区域中的光并且改善器件的外量子效率和剩余(残余)电荷特性的化合物。

7、一些实例实施方式提供选择性地吸收在绿色波长区域中的光并且具有优异的外量子效率和剩余电荷特性的光电器件。

8、一些实例实施方式还提供包括所述光电器件的光吸收传感器。

9、一些实例实施方式还提供包括所述光电器件或传感器的传感器嵌入式显示面板。

10、一些实例实施方式还提供包括所述光电器件或传感器的电子设备。

11、根据一些实例实施方式,化合物由化学式1表示。

12、[化学式1]

13、

14、在化学式1中,

15、ar1和ar2可各自独立地为取代或未取代的c6-c30芳烃基团、取代或未取代的c3-c30杂芳烃基团、或其稠环,

16、g可为-se-、-te-、-s(=o)-、-s(=o)2-、-n=、-nra-、-brb-、-sircrd-、-sirccrdd-、-gererf-、-gereerff-、-(crgrh)n1-、-(crggrhh)-、-(c(ri))=(c(rj))-、或-(c(rii))=(c(rjj))-(其中ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、rh、ri、和rj各自独立地为氢、卤素、取代或未取代的c1-c10烷基或者取代或未取代的c1-c10烷氧基,并且rcc和rdd、ree和rff、rgg和rhh、或者rii和rjj的各对彼此连接以形成环结构,且-(crgrh)n1-的n1为1或2),

17、rx、ry、和rz可各自独立地为取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、卤素、或cn,x和y各自独立地为1或2的整数,z为0-2的整数,x+y+z为4或更小,

18、rx和ry可在相对于彼此的对位处存在,

19、r1可为氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、或者取代或未取代的c6-c30芳基,和

20、ar3可为取代或未取代的具有c=o、c=s、c=se、c=te、或c=crprq的至少一个官能团的c6-c30烃环基团(其中rp和rq各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c10烷基、氰基、或含有氰基的基团),取代或未取代的具有c=o、c=s、c=se、c=te、或c=crprq的至少一个官能团的c2-c30杂环基团(其中rp和rq各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c10烷基、氰基、或含有氰基的基团),或其稠环。

21、在化学式1中,rx、ry、和rz可各自独立地为选自取代或未取代的c1-c30烷基和取代或未取代的c1-c30烷氧基的给电子基团。

22、在化学式1中,g可为-(crgrh)n1-或-(crggrhh)-(其中rg和rh各自独立地为氢、卤素、取代或未取代的c1-c10烷基、或者取代或未取代的c1-c10烷氧基,并且rgg和rhh可彼此连接以提供环结构,且n1为1或2),并且rx和ry可在相对于彼此的对位处存在。

23、在一些实例实施方式中,在化学式1中,ar1或ar2的至少一个可在1位处包括杂原子,并且所述杂原子可为氮(n)、硫(s)、或硒(se)之一。

24、在化学式1中,包括ar1和ar2的化学式1的环状基团可选自化学式2中所列的部分。

25、[化学式2]

26、

27、在化学式2中,

28、g为-se-、-te-、-s(=o)-、-s(=o)2-、-n=、-nra-、-brb-、-sircrd-、-sirccrdd-、-gererf-、-gereerff-、-(crgrh)n1-、-(crggrhh)-、-(c(ri))=(c(rj))-、或-(c(rii))=(c(rjj))-,其中ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、rh、ri、和rj各自独立地为氢、卤素、取代或未取代的c1-c10烷基或者取代或未取代的c1-c10烷氧基,并且rcc和rdd、ree和rff、rgg和rhh、或者rii和rjj的各对彼此连接以形成环结构,且-(crgrh)n1-的n1为1或2,

29、r11-r14和r21-r24可各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、卤素、氰基(-cn)、含有氰基的基团、或其任意组合,或者任选地r11-r14的两个相邻基团可彼此连接以提供5元芳族环基团或6元芳族环基团,或者任选地r21-r24的两个相邻基团可彼此连接以提供5元芳族环基团或6元芳族环基团,和

30、*为与化学式1的连接点。

31、在化学式1中,ar1和ar2可为未被由ar3表示的吸电子基团取代的c6-c30芳烃基团、未被由ar3表示的吸电子基团取代的c3-c30杂芳烃基团、或其稠环。

32、在化学式1中,所述环结构可为取代或未取代的c5-c30烃环基团或者取代或未取代的c2-c30杂环基团。

33、化学式1中的所述环结构可包括由化学式3表示的部分。

34、[化学式3]

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【技术保护点】

1.化合物,其由化学式1表示:

2.如权利要求1所述的化合物,其中

3.如权利要求1所述的化合物,其中

4.如权利要求1所述的化合物,其中

5.如权利要求1所述的化合物,其中

6.如权利要求1所述的化合物,其中

7.如权利要求1所述的化合物,其中

8.如权利要求1所述的化合物,其中

9.如权利要求1所述的化合物,其中

10.如权利要求9所述的化合物,其中

11.如权利要求1所述的化合物,其中

12.如权利要求1所述的化合物,其中

13.如权利要求1所述的化合物,其中

14.如权利要求1所述的化合物,其中

15.如权利要求1所述的化合物,其中

16.光电器件,包括:

17.如权利要求16所述的光电器件,其中

18.光吸收传感器,包括如权利要求16或17所述的光电器件。

19.如权利要求18所述的光吸收传感器,其中

20.如权利要求18所述的光吸收传感器,其中

21.传感器嵌入式显示面板,包括

22.如权利要求21所述的传感器嵌入式显示面板,其中

23.如权利要求21所述的传感器嵌入式显示面板,其中

24.如权利要求23所述的传感器嵌入式显示面板,其中

25.如权利要求21所述的传感器嵌入式显示面板,其中

26.如权利要求21所述的传感器嵌入式显示面板,其中

27.如权利要求26所述的传感器嵌入式显示面板,其中

28.如权利要求27所述的传感器嵌入式显示面板,其中

29.如权利要求21所述的传感器嵌入式显示面板,其中

30.电子设备,包括如权利要求16或17所述的光电器件、如权利要求18-20任一项所述的光吸收传感器、或者如权利要求21-29任一项所述的传感器嵌入式显示面板。

...

【技术特征摘要】

1.化合物,其由化学式1表示:

2.如权利要求1所述的化合物,其中

3.如权利要求1所述的化合物,其中

4.如权利要求1所述的化合物,其中

5.如权利要求1所述的化合物,其中

6.如权利要求1所述的化合物,其中

7.如权利要求1所述的化合物,其中

8.如权利要求1所述的化合物,其中

9.如权利要求1所述的化合物,其中

10.如权利要求9所述的化合物,其中

11.如权利要求1所述的化合物,其中

12.如权利要求1所述的化合物,其中

13.如权利要求1所述的化合物,其中

14.如权利要求1所述的化合物,其中

15.如权利要求1所述的化合物,其中

16.光电器件,包括:

17.如权利要求16所述的光电器件,其中

18.光吸收传感器,包括如权利要求16或17所述的光电...

【专利技术属性】
技术研发人员:林允熙房非非李贞仁洪慧林朴敬培徐辉贞
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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