【技术实现步骤摘要】
涉及非对称存储器单元设计。
技术介绍
1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，其中任一者可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取(例如感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，组件可写入(例如编程、设置、指派)存储器装置中的状态。
2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可依据易失性配置或非易失性配置进行描述。以非易失性配置来配置的存储器单元...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述存储材料进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一接触面积的第一尺寸小于所述第二接触面积的第一尺寸。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一接触面积的第一尺寸大于所述第二接触面积的第一尺寸。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述存储材料进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一接触面积的第一尺寸小于所述第二接触面积的第一尺寸。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一接触面积的第一尺寸大于所述第二接触面积的第一尺寸。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第三导电材料填充所述凹部。
11.根据权利要求1所述的方法，其中：
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储材料包括硫属化物材料。
13.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述材料堆叠包括：
14.一种设备，其包括：
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一接触面积的第一尺寸小于所述第二接触面积的第一尺寸...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·罗布斯泰利，I·托尔托雷利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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