【技术实现步骤摘要】
本公开涉及非易失性存储器件及其操作方法。
技术介绍
1、作为半导体存储器件，非易失性存储器件即使在电源被关闭时也保持信息，并包括在电源接通时可再次使用所存储的信息的许多存储单元。非易失性存储器件可以用于移动电话、数码相机、便携式数字助理(pda)、移动计算机装置、固定计算机装置以及其它装置。
2、正在进行关于在下一代神经形态计算平台或芯片上使用三维(或垂直)nand(vnand)来形成神经网络的研究。
技术实现思路
1、提供一种包括导电柱的非易失性存储器件及其操作方法。
2、提供一种能够向半导体层施加具有小强度的电压的非易失性存储器件及其操作方法。
3、附加方面将部分地在以下描述中阐述，并部分地将从该描述变得明显，或者可以通过实施本公开的所给出的实施方式而获知。
4、根据一实施方式，一种非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、多个绝缘图案和多个栅电极、...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一电压和所述第二电压彼此不同。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一电压大于所述第二电压。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于所述第二电压的绝对值。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第二电压的绝对值是5V或更小。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述关断电压小于...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一电压和所述第二电压彼此不同。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一电压大于所述第二电压。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于所述第二电压的绝对值。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第二电压的绝对值是5v或更小。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述关断电压小于所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述导通电压大于所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于在所述导通电压和所述关断电压之间的差。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述导电柱的所有区域在空间上与所述半导体层的所有区域间隔开...
【专利技术属性】
技术研发人员：金裕珉，姜周宪，金宣浩，金世润，朴可篮，宋伣在，安东浩，杨承烈，禹明勋，李镇宇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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