检测半导体工艺腔室气密性的方法技术

一种检测半导体工艺腔室气密性的方法包括下列步骤：提供一片衬底,衬底形成氧化层；量测氧化层的厚度,得到第一厚度值；将衬底放置于待量测其气密性的腔室内；在对腔室提供惰性气体且不提供氧气的条件下,在既定的第一时间内进行使衬底的温度升高至操作温度的制程；从腔室取出进行制程后的衬底；在既定的第二时间内量测进行制程后的衬底的氧化层的厚度,得到第二厚度值；比对第一厚度值与第二厚度值,如果第二厚度值大于述第一厚度值,则判断腔室有环境气体进入。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体设备检测的，尤其涉及一种利用量测衬底在既定制程前后的氧化层厚度以判定腔室气密性的检测半导体工艺腔室气密性的方法。

技术介绍

1、目前在硅衬底上形成二氧化硅的薄膜主要是应用快速热处理工艺(rapidthermal process,rta)，其在短时间内加热且冷却硅晶圆以进行退火和氧化，原位蒸气生成工艺(in situ steam generation，issg)是一种新型的快速氧化热退火工艺，目前用于超薄膜氧化层及氮氧薄膜的制备。

2、目前的rta/issg机台广泛应用于12寸晶圆的制造。在制程中，需在机台工艺腔室内通入氮气作为保护气体而且通入氧气作为反应气体，以便在硅衬底上形成均匀的二氧化硅薄膜而且在二氧化硅薄膜形成后进行退火处理。如果机台工艺腔室的气密性不佳，而导致环境气体(空气)进入机台的腔室，易造成实际工艺流量和设定工艺流量不符，空气中氧气进入腔体在高温下氧化金属等问题。工艺流量不足会导致硅片受热不均匀，生长的二氧化硅厚度达不到工艺标准，而空气中氧气进入腔体会造成金属被氧化从而导电性变差，进而影响半导体器件性能，造成半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测半导体工艺腔室气密性的方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,所述衬底为硅晶圆,所述氧化层为二氧化硅,所述惰性气体为氮气。

3.如权利要求2所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,所述制程为退火制程,所述操作温度为摄氏810度至990度,所述第一时间为54秒至66秒。

4.如权利要求3所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,所述第二时间为540秒至660秒。

5.如权利要求1所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,在量测所述第一厚度和量测所述第二厚...

【技术特征摘要】

1.一种检测半导体工艺腔室气密性的方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,所述衬底为硅晶圆,所述氧化层为二氧化硅,所述惰性气体为氮气。

3.如权利要求2所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,所述制程为退火制程,所述操作温度为摄氏810度至990度,所述第一时间为54秒至66秒。

4.如权利要求3所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,所述第二时间为540秒至660秒。

5.如权利要求1所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,在量测所述第一厚度和量测所述第二厚度的步骤中，在所述衬底上的至少一个量测位置量测所述氧化层的所述第一厚度值与所述第二厚度值。

6.如权利要求5所述的检测半导体工艺腔室气密性的方法，其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈展奋，王成，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：