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一种检测半导体工艺腔室气密性的方法包括下列步骤：提供一片衬底,衬底形成氧化层；量测氧化层的厚度,得到第一厚度值；将衬底放置于待量测其气密性的腔室内；在对腔室提供惰性气体且不提供氧气的条件下,在既定的第一时间内进行使衬底的温度升高至操作温度的...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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