【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有通过离子注入而形成的绝缘区域的半导体装置，特别涉及能够不 使泄漏电流增大而防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。
技术介绍
历来，作为具有场效应晶体管的半导体装置，已知具有如下结构的第一半导体装 置，即，在半导体衬底的上表面侧设置的掺杂区域上，设置有多个源极电极、多个栅极电极、 以及多个漏极电极，栅极焊盘和源极焊盘在半导体衬底上设置在掺杂区域的一端侧，漏极 焊盘在半导体衬底上夹着掺杂区域设置在与栅极焊盘的相反侧(例如，参照专利文献1)。在第一半导体装置中，多个栅极电极在掺杂区域之外通过栅极布线而被汇集成一 个，连接于栅极焊盘。同样地，多个漏极电极连接于漏极焊盘。多个源极电极通过在栅极布 线上隔着绝缘膜或空气配设的源极布线而连接于源极焊盘。此外，在半导体衬底的上表面 侧，设置有绝缘区域，该绝缘区域对漏极焊盘和源极焊盘、和掺杂区域之间进行电分离。而且，在第一半导体装置中，上述绝缘区域有时在通过外延法(印itaxial method)在半导体衬底上形成的被称为沟道层或保护层(cap layer)的掺杂层中注入B+、 H+、He、0等的离子而形成。此外...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：国井彻郎，天清宗山，山本佳嗣，野上洋一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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