【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路领域，尤其涉及一种温度传感器。
技术介绍
近年来，通过采用深亚微米技术CMOS电路集成度明显提高，高性能芯片的功率密 度和整体芯片功耗相应地不断增长，进而使得芯片在运用状态下片内温度不断升高，最高 可达120°C，而内部高温会严重影响芯片的性能和可靠性，还会使得CMOS电路的亚阈值漏 电增加，同时也直接限制了器件特征尺寸的一步缩小。因此，有效监视与控制芯片内部温度 成为了集成电路设计的一个重要内容。现有技术中，已提出多种面积小且功耗低的CMOS温度传感器，以在较小的设计代 价下，实现片内温度实时监控。其中CMOS温度传感器较小的面积还使得芯片内部允许集成 多个温度传感器，以探测不同点上的温度分布。以传统的基于环形振荡器的温度传感器为 例进行说明。传统的基于环形振荡器的温度探测技术环形振荡器的周期对工艺变化和供电 电压敏感，但用来采集数据的系统时钟周期对它们却不敏感。利用了振荡器和温度的相关 性，产生一个周期正比于温度的信号，并且利用系统时钟来捕捉这个信号。因此，对于传统 的环振传感器来说，由工艺变化和供电电压引起的误差很大。由于环形振荡器的振...
【技术保护点】
一种温度传感器，其特征在于，包括：第一环形振荡器，包括奇数级反相器前后级联组成的环路，用于输出与温度成正比的第一振荡周期，其中所述第一环形振荡器中的反相器分为高电压阈值反相器和低电压阈值反相器两类，其中所述高电压阈值反相器和低电压阈值反相器个数能够使所述第一振荡周期随供电电压的变化规律接近第二环形振荡器输出的第二振荡周期随供电电压的变化规律，用以使所述第一环形振荡器和所述第二环形振荡器的电压特性相似；所述第二环形振荡器，包括奇数级交叉耦合的反相器对，其中该反相器对前后级联形成环路，用于生成与温度无关的第二振荡周期；其中每级交叉耦合反相器对包含第一反相器和第二反相器，在如下条...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程旭，宋晓笛，帖猛，
申请(专利权)人：北京北大众志微系统科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。