【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例属于半导体结构和加工的领域，并且具体地，是具有对准的背侧接触部的纳米带结构。
技术介绍
1、过去的几十年来，集成电路中特征的缩放已经成为持续增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限占用面积上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上合并增加数量的存储器或逻辑装置，有助于制造具有增加的容量的产品。然而，对越来越大的容量的追求并非没有问题。对每个装置性能进行优化的必要性变得越来越重要。
2、常规的和当前已知的制造工艺中的可变性可能限制了将其进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点的范围的可能性。因此，制造未来技术节点所需要的功能部件可能要求在当前制造工艺中引入新方法或集成新技术或者代替当前制造工艺。
3、在集成电路装置的制造中，随着装置尺寸继续缩小，多栅极晶体管(例如三栅极晶体管和全环绕栅极(gaa)晶体管)已经变得更加普及。三栅极晶体管和gaa晶体管一般制造在体硅衬底上或绝缘体上硅衬底上。在一些实例中，由于体硅衬底的较低的成本以及与现有的高产率体硅衬底基础...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体沟道是纳米线沟道或纳米带沟道。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属部的宽度大于所述源极的宽度。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属部的宽度基本上等于所述源极的宽度。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述电介质部包括硅和氮；硅、碳和氮；或者硅、氧和氮。
8.根据...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体沟道是纳米线沟道或纳米带沟道。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属部的宽度大于所述源极的宽度。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属部的宽度基本上等于所述源极的宽度。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述电介质部包括硅和氮；硅、碳和氮；或者硅、氧和氮。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属部包括钨。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述源极和所述漏极具有扇形侧壁。
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述源极和所述漏极包括外延生长的半导体材料。
11.一种形成电子装置的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述背侧接触部模板包括多晶硅。
13.根据权利要求11或12所述的方法，还包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述电介...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·P·古勒尔，M·哈桑，M·K·哈兰，M·J·科布林斯基，C·H·华莱士，T·加尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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