半导体封装制造技术

本技术提供一种包括一或多个散热系统的半导体封装。所述半导体封装可包括：一或多个积体电路晶粒；包封体，环绕所述一或多个积体电路晶粒；重布线结构，位于所述一或多个积体电路晶粒以及包封体之上。重布线结构可包括一或多个散热系统，所述一或多个散热系统与重布线结构的其余部分电性隔离。每一散热系统可包括第一金属接垫、第二金属接垫以及将第一金属接垫连接至第二金属接垫的一或多个金属通孔。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种半导体封装。

技术介绍

1、由于各种电子组件(例如，电晶体、二极体、电阻器、电容器等)的积体密度不断地提高，半导体行业已经历快速发展。在很大程度上，积体密度的提高源于最小特征尺寸(minimum feature size)的反复减小，此使得能够将更多的组件整合至给定的面积中。随着对日益缩小的电子装置的需求的增长，对于更小且更具创造性的半导体晶粒封装技术浮现需求。此种封装系统的一个实例是迭层封装(package-on-package，pop)技术。在pop装置中，顶部半导体封装堆迭于底部半导体封装顶上，以提供高积体水准及组件密度。pop技术一般能够在印刷电路板(printed circuit board，pcb)上生产具有增强的功能性及小的覆盖区(footprint)的半导体装置。

技术实现思路

1、本技术的一态样提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：重布线结构。所述重布线结构包括：第一介电层；位于所述第一介电层中的第一金属图案，其中所述第一金属图案的第一部分是金属接垫；位于所述第一金属图案之上的第二介电层；位于所述第二介电层中的第二金属图案，其中所述第二金属图案的第一部分是虚设接垫，其中所述第一金属图案的所述第一部分藉由延伸穿过所述第二介电层的一或多个金属通孔连接至所述第二金属图案的所述第一部分，且其中所述第一金属图案的所述第一部分、所述第二金属图案的所述第一部分以及所述一或多个金属通孔与所述重布线结构的其余部分电性隔离；以及位于所述第二金属图案之上的第三介电层。

2、本技术的另一态样提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：重布线结构。所述重布线结构包括：第一绝缘层；位于所述第一绝缘层中的第一重布线图案；位于所述第一重布线图案之上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层中的第二重布线图案；散热系统；以及位于所述第二重布线图案之上的第三绝缘层。所述第二重布线图案包括多个接触接垫，所述多个接触接垫包括：讯号接垫；电源接垫；接地接垫；以及虚设接垫。所述第一重布线图案的第一部分藉由延伸穿过所述第二绝缘层的通孔连接至所述虚设接垫。所述散热系统包括：所述第一重布线图案的所述第一部分；所述虚设接垫；以及所述通孔，其中所述散热系统与所述半导体封装的电路电性隔离。

3、本公开的又一态样提供一种方法。所述方法包括：在载体基底之上沈积第一介电层；在所述第一介电层的第一侧上形成第一重布线图案，其中所述第一重布线图案的第一部分与所述第一重布线图案的其余部分电性隔离；在所述第一重布线图案及所述第一介电层上沈积第二介电层；在所述第二介电层中形成开口以局部地暴露出所述第一重布线图案的所述第一部分；在所述第二介电层上形成第二重布线图案，其中所述第二重布线图案在所述第二介电层中的所述开口中进行填充并形成通孔，其中所述第二重布线图案的第一部分与所述第二重布线图案的其余部分电性隔离，且其中所述通孔将所述第一重布线图案的所述第一部分连接至所述第二重布线图案的所述第一部分；以及在所述第二重布线图案及所述第二介电层上沈积第三介电层。

4、为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述金属接垫具有延伸穿过所述金属接垫的厚度的开口。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述开口是藉由所述第一介电层来进行填充。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述虚设接垫具有延伸穿过所述虚设接垫的厚度的开口。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，所述开口是藉由所述第二介电层来进行填充。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，更包括绝缘层及电性连接件，所述绝缘层位于所述第三介电层之上，所述电性连接件延伸穿过所述绝缘层及所述第三介电层以接触所述第二金属图案的所述第一部分。

7.一种半导体封装，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，在俯视图中，所述多个接触接垫以包括行及列的阵列设置于所述半导体封装上，且其中所述阵列的中心区不具有接触接垫。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，在俯视图中，所述多个接触接垫以包括行及列的阵列设置于所述半导体封装上，且其中在最靠近于所述半导体封装的边缘的列中设置有一或多个虚设接垫。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，更包括第四绝缘层及接触接垫连接件，所述第四绝缘层位于所述第三绝缘层之上，所述接触接垫连接件延伸穿过所述第三绝缘层及所述第四绝缘层以接触所述多个接触接垫，其中所述第四绝缘层包含环氧树脂。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述金属接垫具有延伸穿过所述金属接垫的厚度的开口。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述开口是藉由所述第一介电层来进行填充。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述虚设接垫具有延伸穿过所述虚设接垫的厚度的开口。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，所述开口是藉由所述第二介电层来进行填充。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，更包括绝缘层及电性连接件，所述绝缘层位于所述第三介电层之上，所述电性连接件延伸穿过所述绝缘层及所述第三介电层以接触所述第二金属图案的所述第一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴邦立，江宗宪，黄子松，黄朝先，张家纶，林修任，曾明鸿，蔡豪益，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：