半导体结构制造技术

一种半导体结构，根据本公开的半导体结构包括第一裸晶以及第二裸晶，第一裸晶具有前表面以及后表面，第二裸晶接合到第一裸晶的后表面。第一裸晶包括相邻于后表面的多个沟槽，且多个沟槽被液体填充。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种具有沟槽的半导体结构。

技术介绍

1、集成电路(integrated circuit,ic)产业经历了指数性增长。集成电路材料以及设计中的技术进步产生了数代集成电路，其中每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在集成电路发展过程中，功能密度(即，每一芯片面积的互连装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创造的最小部件(或线))减小。这种按比例缩小的过程一般通过增加生产效率以及降低相关成本来提供好处。

2、三维(three-dimensional,3d)封装或芯片堆叠一般指的是纵向地堆叠以及附接芯片，以提高效率且更好地利用可用空间。其可实现具有不同芯片尺寸以及/或功能的多个裸晶的异质整合(heterogeneous integration)。三维封装的实施例的一示例是系统整合芯片(system on integrated chip,soic)装置或高性能计算(high performancecomputing,hpc)装置。由于热的积聚可能会降低性能，密集封装以及纵向整合给散热带来了挑战。虽然现有的三维封装结构大致上足以达到其预期目的，但其并非在所有方面都令人满意。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。

2、在一个示例性方面，本公开有关于一种半导体结构。此半导体结构包括第一互连结构、第一基材、第二互连结构以及第二基材，第一基材设置于第一互连结构上，第二互连结构设置于第一基材上，第二基材设置于第二互连结构上。第一基材包括多个第一沟槽，从相邻于第二互连结构的表面延伸到第一基材中。多个第一沟槽被液体填充。

3、根据本公开其中的一个实施方式，该液体包括水、碳氢化合物或碳氟化合物。

4、根据本公开其中的一个实施方式，该第二基材包括多个第二沟槽，从远离该第二互连结构的一表面延伸到该第二基材中；其中，所述多个第二沟槽被该液体填充。

5、根据本公开其中的一个实施方式，该第一基材还包括完全地延伸通过该第一基材的至少一个基材通孔。

6、根据本公开其中的一个实施方式，其中，所述多个第一沟槽更被一密封层填充；其中，该密封层的一顶部表面与该第一基材的一顶部表面共面。

7、根据本公开其中的一个实施方式，还包括：一介电结构，环绕且接触该第一互连结构以及该第一基材；以及一隔离膜，设置于该第一基材、该密封层以及该介电结构上。

8、根据本公开其中的一个实施方式，还包括：一介电层，设置于该隔离膜上；以及多个接触特征，嵌入该介电层中。

9、根据本公开其中的一个实施方式，该密封层包括氮化硅。

10、在另一示例性方面，本公开有关于一种半导体结构。半导体结构包括第一裸晶、接合层以及第二裸晶。第一裸晶包括第一互连结构、第一基材以及多个第一热分布线，第一基材设置于第一互连结构上，多个第一热分布线设置于第一基材中。接合层设置于第一基材之上。第二裸晶设置于接合层上，且包括第二互连结构、第二基材以及多个第二热分布线，第二基材设置于第二互连结构上，多个第二热分布线设置于第二基材中。

11、根据本公开其中的一个实施方式，所述多个第一热分布线以及所述多个第二热分布线的每一个包括一液体以及在该液体之上的一密封层。

12、在又一个示例性方面，本公开有关于一种方法。此方法包括接收第一工件，第一工件包括安装在第一载体基材上的第一裸晶，第一裸晶包括第一基材以及基材通孔；选择性地蚀刻第一基材，直到基材通孔的一部分高于第一基材；在第一基材中形成多个第一沟槽；将一液体注入多个第一沟槽中；在第一工件之上沉积第一密封层，以密封多个第一沟槽中的液体；以及在沉积第一密封层之后，平坦化第一工件，以暴露基材通孔。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该液体包括水、碳氢化合物或碳氟化合物。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该第一基材还包括完全地延伸通过该第一基材的至少一个基材通孔。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该密封层包括氮化硅。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一热分布线以及所述多个第二热分布线的每一个包括一液体以及在该液体之上的一密封层。

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该液体包括水、碳氢化合物或碳氟化合物。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该第一基材还包括完全地延伸通过该第一基材的至少一个基材通孔。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，

6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧琮介，杨芷欣，王良玮，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：