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本文中公开的实施例包括半导体装置以及形成这样的装置的方法。在实施例中，半导体装置包括：半导体沟道的竖直堆叠体；位于半导体沟道的竖直堆叠体的第一侧上的源极；以及位于半导体沟道的竖直堆叠体的第二侧上的漏极。在实施例中，金属部位于源极下方并且与源...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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