【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及荧光粉领域，特别是涉及一种荧光粉、光学防伪方法、led灯及在植物生长照明中的应用。
技术介绍
1、稀土掺杂荧光粉主要应用于白光led，应用领域十分单一。而为了扩充其应用领域，针对不同体系进行稀土掺杂，以获得不同荧光性能的荧光粉，是一个十分重要的思路。
2、其中mg2la8(sio4)6o2这一体系尚未有相关研究报道，针对这一体系，进行稀土掺杂后其表现出的荧光特性如何，具有何种潜在应用价值，是现阶段稀土掺杂荧光粉体系中一个十分重要的认知盲点。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对mg2la8(sio4)6o2体系稀土掺杂后应用前景不明的问题，提供一种荧光粉、光学防伪方法、led灯及在植物生长照明中的应用。
2、本专利技术提供的技术方案为：
3、一种荧光粉，化学式为mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+。
4、本专利技术x＝0.01。
5、一种荧光粉的制备方法，包括：将mgo、sio2、la2o3和eu2o3按mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+的比例形成共混物，在还原气氛下烧结后冷却，以形成mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+。
6、本专利技术所述烧结温度为1450℃。
7、一种防伪图案，采用荧光粉印刷而成。
8、一种光学防伪方法，分别采用365nm和393nm的光线照射防伪图案。
9、本专利技术还采用45
10、一种led灯，包括nuv芯片和荧光粉。
11、本专利技术所述nuv芯片的通电电流为不大于100ma。
12、一种如权利要求8所述的led灯在植物生长照明中的应用。
13、本专利技术的有益效果为：
14、在mg2la8(sio4)6o2体系中，eu2+的发射带和eu3+的吸收带之间不存在重叠，故改变mg2la8(sio4)6o2体系中eu2+和eu3+的掺杂量，并不会改变其荧光发射波长，由此在固定激发波长情况下，不论x取值如何，mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+都具备良好的发射波长峰值稳定性，由此针对一些特殊应用场景，对eu掺杂量的控制精度要求可以适当降低，减少了荧光粉的报废率。
15、mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+具有三个激发波长，由此允许以三个激发波长的光分别照射防伪图案，从而分别得到校验结果，只有当三个校验结果均为成功时，才能保证防伪图案的真实性，由此极大增加了防伪图案的伪造难度，提升了防伪图案的验真真实性和可靠性。
16、以mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+制备得到的led灯能够发出满足植物生长所需的光照，以此促进植物夜间进行光合作用，能够广泛应用于作物生长领域。
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1.一种荧光粉，其特征在于，化学式为Mg2-2xLa8(SiO4)6O2:2xEu2+/3+。
2.根据权利要求1所述的荧光粉，其特征在于，x＝0.01。
3.一种如权利要求1或2所述的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括：将MgO、SiO2、La2O3和Eu2O3按Mg2-2xLa8(SiO4)6O2:2xEu2+/3+的比例形成共混物，在还原气氛下烧结后冷却，以形成Mg2-2xLa8(SiO4)6O2:2xEu2+/3+。
4.根据权利要求3所述的荧光粉的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1450℃。
5.一种防伪图案，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的荧光粉印刷而成。
6.一种光学防伪方法，其特征在于，分别采用365nm和393nm的光线照射如权利要求5所述的防伪图案。
7.根据权利要求6所述的光学防伪方法，其特征在于，还采用450nm的光线照射所述防伪图案。
8.一种LED灯，其特征在于，包括NUV芯片和如权利要求1或2所述的荧光粉。
9.根据权利要求7所述的LED灯，其特
10.一种如权利要求8所述的LED灯在植物生长照明中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种荧光粉，其特征在于，化学式为mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+。
2.根据权利要求1所述的荧光粉，其特征在于，x＝0.01。
3.一种如权利要求1或2所述的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括：将mgo、sio2、la2o3和eu2o3按mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+的比例形成共混物，在还原气氛下烧结后冷却，以形成mg2-2xla8(sio4)6o2:2xeu2+/3+。
4.根据权利要求3所述的荧光粉的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1450℃。
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