【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及照明，尤其涉及一种反射式发光二极管。
技术介绍
1、发光二极管简称led，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，其具备耗电量低、体积小以及反应速度快等优点，广泛应用于照明、平板显示、医疗器件等领域。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。
2、为使发光二极管亮度更高，需要输入更高的功率，但是由于发光二极管的光电转换效率有限，大部分输入功率会转化为热能，过高的晶片温度会导致光二极管产生光衰现象，致使发光二极管的亮度、显色性以及发光效率等性能受到影响，进而缩短元件整体的使用寿命，并且晶片发出的大部分光线由于全反射的影响难以实现有效出射，因此高功率所带来的出光效率提升不够明显。
3、有鉴于此，有必要对现有技术中的发光二极管予以改进，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于揭示一种反射式发光二极管，用以解决现有晶片发出的大部分光线由于全反射影响难以有效出射从而存在高输入功率带来的发光二极管光衰问题的同时出光效率提升有限的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种反射式发光二极管，发光组件和电路板，所述发光组件与电路板电连接，所述发光组件远离电路板一侧形成折射层，所述折射层远离电路板一侧形成若干折射凸起；
3、所述电路板涂覆反射层，所述发光组件发出的光线经过反射层反射后穿过所述发光组件再经由所述折射凸起的折射并出射。>
4、作为本专利技术的进一步改进，所述发光组件包括线路板和晶片，所述电路板一侧连接正极和负极，所述电路板远离正极和负极一侧形成反光槽，所述反射层涂覆于所述反光槽的槽壁，所述线路板覆盖于所述反光槽的槽口处与电路板电连接，所述晶片连接于线路板朝向反射层一侧；
5、所述折射层形成于所述线路板远离晶片一侧，所述晶片发出的光线经过所述反射层反射后穿过所述线路板再经由所述折射凸起的折射后出射。
6、作为本专利技术的进一步改进，所述折射层远离线路板一侧为朗伯表面，所述折射凸起形成于朗伯表面，所述折射凸起的截面由第一折射面和第二折射面构成，相邻所述折射凸起的第一折射面和第二折射面的顶端相连并形成50°～60°范围内的夹角。
7、作为本专利技术的进一步改进，所述反射层远离电路板一侧涂布荧光粉层，所述晶片发出的光线经过荧光粉层激发荧光粉以混合形成白光。
8、作为本专利技术的进一步改进，所述晶片的出光角度在100°～150°范围内，所述晶片为蓝色发光二极体或紫色发光二极体二者之一，所述荧光粉层由yag:ce荧光粉构成。
9、作为本专利技术的进一步改进，所述线路板远离电路板一侧覆盖于第一保护罩内，经过所述折射凸起出射的光线通过所述第一保护罩再次折射后出射，所述第一保护罩。
10、作为本专利技术的进一步改进，所述线路板的基板选配为氧化铝透明陶瓷板，所述线路板的厚度在350um～400um的范围内。
11、作为本专利技术的进一步改进，所述电路板的基板选配为金属基板，所述反射层选配为金属反射镜或布拉格反射镜二者之一，所述反光槽的槽壁呈半球形，所述反射层附着于所述反光槽的槽壁。
12、作为本专利技术的进一步改进，所述线路板朝向荧光粉层一侧连接第二保护罩，所述晶片覆盖于第二保护罩内。
13、作为本专利技术的进一步改进，所述第二保护罩远离晶片一侧形成为半球形透射面，所述半球形透射面与荧光粉层贴合。
14、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：首先，通过由发光组件和电路板构成的发光二极管，并在发光组件远离电路板一侧形成折射层且折射层形成若干折射凸起，当发光组件发出光线后，光线经过附着于电路板的反射面的反射后穿过发光组件，并经过折射凸起的折射沿不同的方向出射，通过折射层以及折射凸起的设置，能够有效避免发光组件所发出的光线由于全反射无法实现有效出射的问题，在发光组件的输入功率增大时发光效率能够相应得到有效提升，以避免现有发光二极管输入功率增大高温导致光衰问题且发光效率提升有限的问题。
15、其次，电路板形成反光槽且反光槽呈半球形设置，反射层涂覆于反光槽的槽壁处，发光组件由线路板和晶片构成，晶片发出的光线经过呈半球形设置的反射层的反射以使平行光形成发散且角度不一的光线，穿过设置为氧化铝透明陶瓷板的线路板后，由形成于线路板远离反射层一侧的折射凸起的折射后射出。折射凸起的横截面由第一折射面和第二折射面构成且相邻折射凸起的第一折射层和第二折射面的顶端形成50°～60°范围内的夹角，光线由第一折射面或第二折射折射面折射后能够实现有效出射，从而有效避免全反射导致光线无法出射从而影响发光二极管发的发光效率的问题。
16、最后，通过在反射层表面涂覆荧光粉层，且荧光粉层由yag：ce荧光粉构成，yag：ce荧光粉为黄色，晶片设置为蓝色发光二极体或紫色发光二极体二者之一，蓝光波长为455nm～475nm，紫光波长为260nm～405nm，由于互补色光原理均可与yag：ce荧光粉混合形成高亮度白光，并且形成的高强度白光可以通过上述折射凸起有效出射，以达到良好的发光效率。
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1.一种反射式发光二极管，其特征在于，包括：发光组件和电路板，所述发光组件与电路板电连接，所述发光组件远离电路板一侧形成折射层，所述折射层远离电路板一侧形成若干折射凸起；
2.根据权利要求1所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述发光组件包括线路板和晶片，所述电路板一侧连接正极和负极，所述电路板远离正极和负极一侧形成反光槽，所述反射层涂覆于所述反光槽的槽壁，所述线路板覆盖于所述反光槽的槽口处并与电路板电连接，所述晶片连接于线路板朝向反射层一侧；
3.根据权利要求2所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述折射层远离线路板一侧为朗伯表面，所述折射凸起形成于朗伯表面，所述折射凸起的截面由第一折射面和第二折射面构成，相邻所述折射凸起的第一折射面和第二折射面的顶端相连并形成50°～60°范围内的夹角。
4.根据权利要求3所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述反射层远离电路板一侧涂布荧光粉层，所述晶片发出的光线经过荧光粉层激发荧光粉以混合形成白光。
5.根据权利要求4所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述晶片的出光角度在100°～150°范
6.根据权利要求2所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述线路板远离电路板一侧覆盖于第一保护罩内，经过所述折射凸起出射的光线通过所述第一保护罩再次折射后出射。
7.根据权利要求1所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述线路板的基板选配为氧化铝透明陶瓷板，所述线路板的厚度在350um～400um的范围内。
8.根据权利要求1所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述电路板的基板选配为金属基板，所述反射层选配为金属反射镜或布拉格反射镜二者之一，所述反光槽的槽壁呈半球形，所述反射层附着于所述反光槽的槽壁。
9.根据权利要求4所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述线路板朝向荧光粉层一侧连接第二保护罩，所述晶片覆盖于第二保护罩内。
10.根据权利要求9所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述第二保护罩远离晶片一侧形成为半球形透射面，所述半球形透射面与荧光粉层贴合。
...【技术特征摘要】
1.一种反射式发光二极管，其特征在于，包括：发光组件和电路板，所述发光组件与电路板电连接，所述发光组件远离电路板一侧形成折射层，所述折射层远离电路板一侧形成若干折射凸起；
2.根据权利要求1所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述发光组件包括线路板和晶片，所述电路板一侧连接正极和负极，所述电路板远离正极和负极一侧形成反光槽，所述反射层涂覆于所述反光槽的槽壁，所述线路板覆盖于所述反光槽的槽口处并与电路板电连接，所述晶片连接于线路板朝向反射层一侧；
3.根据权利要求2所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述折射层远离线路板一侧为朗伯表面，所述折射凸起形成于朗伯表面，所述折射凸起的截面由第一折射面和第二折射面构成，相邻所述折射凸起的第一折射面和第二折射面的顶端相连并形成50°～60°范围内的夹角。
4.根据权利要求3所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述反射层远离电路板一侧涂布荧光粉层，所述晶片发出的光线经过荧光粉层激发荧光粉以混合形成白光。
5.根据权利要求4所述的反射式发光二极管，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：许志宏，林文玮，赖政志，林锦辉，李奕攸，萧志斌，
申请(专利权)人：苏州芯默科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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