【技术实现步骤摘要】
一种用于快速升温炉的承载盘结构
[0001]本技术涉及半导体设备领域,特别涉及一种用于快速升温炉的承载盘结构。
技术介绍
[0002]一般而言,在被使用于半导体制造工程的外延成长的化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition,CVD)装置中,是使用在晶圆下方具备有热源和旋转机构,并且能够从上方供给均一的工艺气体的背面加热方式。
[0003]现有的一般直接将晶圆载置于升温炉的晶圆承载盘上的凹槽内,而为了能够均匀地在晶圆上成膜,一般而言会在承载盘旋转下进行外延反应,然而,在旋转时,容易因为离心力的关系而造成晶圆内缘浮起飘离,使得晶圆无法维持平稳的状态,也使得晶圆不能均匀地受热,故此,我们提出一种用于快速升温炉的承载盘结构来解决此问题。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提供一种用于快速升温炉的承载盘结构,可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术采取的技术方案为:
[0006]一种用于快速升温炉的承载盘结构,包括承载盘,所述承载盘上固定有第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于快速升温炉的承载盘结构,包括承载盘(1),其特征在于:所述承载盘(1)上固定有第一阻挡板(2)且所述第一阻挡板(2)的右侧通过轴销(4)转动设有第二阻挡板(3),所述第一阻挡板(2)和第二阻挡板(3)上分别安装有定位柱(5)和插接组件(6)所述插接组件(6)与定位柱(5)插接。2.根据权利要求1所述的一种用于快速升温炉的承载盘结构,其特征在于:所述插接组件(6)包括安装柱(61),所述安装柱(61)固定设置在第二阻挡板(3)上,所述安装柱(61)上转动卡接有立柱(63)且所述立柱(63)上设有弧形插杆(62)且所述弧形插杆(62)远离立柱(63)的端部贯穿定位柱(5)。3.根据权利要求2所述的一种用于快速升温炉的承载盘结构,其特征在于:所述弧形插杆(62)上设有凹槽(621)且所述凹槽(621)的内腔固定有定位弹簧(623)且所述定位弹簧(623)的端部与定位头(622)固定连...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖政志,许志宏,林锦辉,萧志斌,
申请(专利权)人:苏州芯默科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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