图案化二维材料的制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及二维材料制备技术领域，具体是一种图案化二维材料的制备装置，包括有腔体、三维驱动部件、样品固定部件、第一加热部件、抽真空部件和多个气体输送部件；所述三维驱动部件安装在所述腔体底部，所述样品固定部件安装在所述三维驱动部件上，所述第一加热部件安装在所述腔体内，所述第一加热部件用于对所述样品固定部件进行加热，所述抽真空部件与所述腔体连通，所述气体输送部件安装在所述腔体上，所述气体输送部件的出气口位于所述样品固定部件的上方。本发明专利技术实现了衬底在三维方向的精确移动，使得衬底与前驱体之间可以产生相对移动，进而可以根据所需图案得到图案化二维材料。料。料。

【技术实现步骤摘要】
图案化二维材料的制备装置


[0001]本专利技术涉及二维材料制备
，尤其涉及一种图案化二维材料的制备装置。

技术介绍

[0002]以往大规模集成电路性能的不断提升依赖于新型器件结构的设计以及晶体管尺寸的不断减小。随着摩尔定律逐渐逼近极限，传统的硅基晶体管已达到其极限物理尺寸，隧穿电流的增加影响电路整体的性能和功耗。二维半导体材料具有原子层厚度、表面无悬挂键、高的载流子迁移率等显著区别于硅材料的特征，有望成为后摩尔时代晶体管器件的沟道材料。
[0003]由于二维材料与硅材料截然不同的结构，基于硅材料的p
‑
n结和沟道材料的图案化形成方法并不适用于二维材料。经过研究发现，化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法可以满足二维材料p
‑
n结制备和图案化形成的需求，同时兼顾了样品的高质量、反应过程的可控性、以及与现有集成电路制备工艺的兼容性。
[0004]但是现有的CVD生长设备大多都是在传统管式炉设备上进行有限改进，所有前驱体的供给受到统一的全局加热的控制，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图案化二维材料的制备装置，其特征在于，包括有腔体、三维驱动部件、样品固定部件、第一加热部件、抽真空部件和多个气体输送部件；所述三维驱动部件安装在所述腔体底部，所述样品固定部件安装在所述三维驱动部件上，所述第一加热部件安装在所述腔体内，所述第一加热部件用于对所述样品固定部件进行加热，所述抽真空部件与所述腔体连通，所述气体输送部件安装在所述腔体上，所述气体输送部件的出气口位于所述样品固定部件的上方。2.根据权利要求1所述的图案化二维材料的制备装置，其特征在于，所述图案化二维材料的制备装置还包括有多个固态前驱体供给部件，所述固态前驱体供给部件安装在所述气体输送部件上，所述固态前驱体供给部件与所述气体输送部件连通，所述固态前驱体供给部件上设置有第二加热部件。3.根据权利要求1或2所述的图案化二维材料的制备装置，其特征在于，所述图案化二维材料的制备装置还包括有冷却部件，所述冷却部件固定安装在所述腔体内，所述冷却部件用于对所述腔体进行降温。4.根据权利要求1或2所述的图案化二维材料的制备装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，梁涛，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：