【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体光元件。
技术介绍
1、近年，移动体通信系统中的数据通信量正在迅速地增大。为了高速地处理庞大的数据通信量，即使在以光源即半导体激光器为代表的半导体光元件中，也期望进一步的高速动作。
2、在专利文献1中公开了形成有覆盖活性层的两侧面的埋入区域的光半导体器件。专利文献1所记载的光半导体器件具备如下所述的台面构造：在具有活性层以及设置于活性层的上表面以及下表面的包层的脊构造的两侧面设置有例如由掺杂了铁的alinas(铝铟砷，aluminum indium arsenide)半导体构成的埋入区域。在该元件构造中，除了能够通过埋入区域使注入到活性层的电流狭窄之外，还能够增大活性层的横向上的光限制。
3、专利文献1：日本特开2005-286032号公报
4、在使半导体光元件高速调制而作为光通信用的光源使用时，需要使半导体光元件的弛豫振荡频率(relaxation oscillation frequency)比受光侧低通滤波器的截止频率高。弛豫振荡频率fr一般存在下述的式(1)所示的比例关系。
5、[式1]
6、
7、在式(1)中，γ表示光限制系数，l表示谐振器长度，w表示活性层宽度，d表示活性层厚度，q表示基本电荷，dg/dn表示微分增益，ηi表示内部量子效率，iop表示动作电流，ith表示阈值电流。根据式(1)可知，光限制系数γ越大，弛豫振荡频率fr越高。
8、在专利文献1所记载的光半导体器件的元件构造中，由于形成于脊构造的两侧面的埋入区域
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述问题点所做出的，其目的在于，获得由于通过增大对活性层的纵向上的光限制而更加提高弛豫振荡频率，所以能够进行高速调制的半导体光元件。
2、本申请所公开的半导体光元件具备：
3、第1导电型的半导体基板；
4、条纹状的脊构造，由设置于所述第1导电型的半导体基板之上的第1导电型的包层以及活性层构成；
5、埋入构造，以覆盖所述脊构造的两侧面的方式埋入；
6、第2导电型的脊上部包层，设置于所述脊构造的上部；
7、第2导电型的包层以及第2导电型的接触层，设置于所述埋入构造的表面；
8、条纹状的凹部，设置于所述第2导电型的包层以及所述第2导电型的接触层内，并且底面为所述脊上部包层的上表面，侧面由所述第2导电型的包层以及所述第2导电型的接触层构成；
9、条纹状的台面构造，包括所述脊构造，并且由从所述第2导电型的接触层到达所述第1导电型的半导体基板的台面形成两侧面；以及
10、绝缘膜，覆盖所述凹部的底面以及侧面、所述第2导电型的接触层的表面和台面构造的两侧面。
11、根据本申请所公开的半导体光元件，由于能够通过设置于台面构造的凹部，使设置于活性层的上部的脊上部包层的层厚比设置于除活性层的上部以外的部位的包层薄，所以纵向上的对活性层的光限制变大，弛豫振荡频率变高，因此可得到能够进行高速调制的半导体光元件。
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1.一种半导体光元件，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体光元件，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
7.一种半导体光元件，其特征在于，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
12.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体光元件，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体光元件，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
7.一种半导体...
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