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功率模块制造技术

技术编号:40448693 阅读:3 留言:0更新日期:2024-02-22 23:08
本发明专利技术涉及功率模块,其具有:多个半导体元件,它们在厚度方向上流过主电流;基板,其搭载所述多个半导体元件;基座板,其搭载所述基板;壳体,其与所述基座板接合,容纳所述多个半导体元件;多个主配线板,它们装入与所述基座板相反侧的所述壳体的上部,配置为与所述基座板平行;以及多个配线,它们接合于所述多个主配线板的与所述多个半导体元件相对的下表面,所述多个半导体元件的每一者的上表面电极经由所述多个配线及接合材料与所述多个主配线板电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及功率模块,特别涉及改良了配线构造的功率模块。


技术介绍

1、在专利文献1中公开了通过确保稳定的接合强度,从而能够提高可靠性的功率模块。在专利文献1的图1中,示出了具有散热用金属基座板、绝缘基板、功率半导体元件、表面电极、主端子、开口、键合带、壳体、封装树脂的功率模块。

2、该功率模块在散热用的金属基座板之上通过焊料等接合了绝缘基板。绝缘基板具有绝缘层和金属板。主端子为铜制的板状电极,在与功率半导体元件相对的部位形成有开口部。键合带跨过形成于主端子的开口部而形成为线环状,其两端被超声波熔接于主端子。另外,键合带的线环部分与功率半导体元件的表面电极进行超声波熔接。

3、专利文献1:国际公开第2015/079600号


技术实现思路

1、在专利文献1中,主端子与功率半导体元件的表面电极经由键合带通过超声波熔接进行连接。为了进行超声波熔接,需要从壳体的上表面插入用于接合的器具,因此需要设置开口部,难以小型化。另外,由于将键合带超声波熔接于半导体元件的表面电极,因此半导体元件的尺寸及与半导体元件接合的电极的尺寸的自由度小,在半导体元件的尺寸产生了变化的情况下存在无法灵活地应对这样的问题。

2、本专利技术就是为了解决上述那样的问题而提出的,其目的在于提供能够小型化,即使半导体元件的尺寸产生变化,也能够灵活地应对而能够提高生产率的功率模块。

3、本专利技术涉及的功率模块具有:多个半导体元件,它们在厚度方向上流过主电流;基板,其搭载所述多个半导体元件;基座板,其搭载所述基板;壳体,其与所述基座板接合,容纳所述多个半导体元件;多个主配线板,它们装入与所述基座板相反侧的所述壳体的上部,配置为与所述基座板平行;以及多个配线,它们接合于所述多个主配线板的与所述多个半导体元件相对的下表面,所述多个半导体元件的每一者的上表面电极经由所述多个配线及接合材料与所述多个主配线板电连接。

4、专利技术的效果

5、根据本专利技术涉及的功率模块,可以得到能够小型化,即使半导体元件的尺寸产生变化,也能够灵活地应对而能够提高生产率的功率模块。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率模块,其具有:

2.根据权利要求1所述的功率模块,其中,

3.根据权利要求2所述的功率模块,其中,

4.根据权利要求2所述的功率模块,其中,

5.根据权利要求1所述的功率模块,其中,

6.根据权利要求1所述的功率模块,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种功率模块,其具有:

2.根据权利要求1所述的功率模块,其中,

3.根据权利要求2所述的功率模块,其中,

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【专利技术属性】
技术研发人员:中原贤太
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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