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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及氮化物半导体装置。
技术介绍
1、目前,使用了氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(hemt:high electronmobility transistor)的产品化不断发展。在将hemt应用于功率器件的情况下,从失效保护(fail-safe)的观点出发,要求在零偏置时阻断源极-漏极间的电流路径(沟道)的常关动作(normally-off)。
2、在专利文献1中,公开了一种增强型的硅mosfet(metal-oxide-semico nductorfield effect transistor)与耗尽型的氮化镓hemt串联连接而成的共源共栅晶体管(cascode transistor)。在专利文献1的共源共栅晶体管中,为了对耗尽型的氮化镓hemt进行开关,组合了增强型的硅mosfet来实现常关动作。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2015-61265号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在如专利文献1所记载的增强型的硅mosfet与耗尽型的氮化镓hemt串联连接而成的共源共栅晶体管中,导通电阻的温度依赖性比较大。例如,当动作温度从室温上升到150℃时,共源共栅晶体管的导通电阻可能增加到2倍以上。这样的导通电阻增加使导通损耗增大,可能导致芯片温度的进一步上升,因此,期望降低导通电阻的温度依赖性。
3、用于解决课题的手段
4、本公开的一方式的氮化物半导体装
5、专利技术效果
6、根据本公开的氮化物半导体装置,能够降低导通电阻的温度依赖性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种氮化物半导体装置,具有:
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置,其中,
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
5.根据权利要求4所述的氮化物半导体装置,其中,
6.根据权利要求4或5所述的氮化物半导体装置,其中,
7.根据权利要求6所述的氮化物半导体装置,其中,
8.根据权利要求4~7中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
9.根据权利要求1~3中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
10.根据权利要求1~9中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
11.根据权利要求1~9中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
12.根据权利要求1~11中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
13.根据权利要求1~12中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
14.根据权利要求1~13中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
15.根据权利要求1~
16.根据权利要求1~15中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物半导体装置,具有:
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置,其中,
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
5.根据权利要求4所述的氮化物半导体装置,其中,
6.根据权利要求4或5所述的氮化物半导体装置,其中,
7.根据权利要求6所述的氮化物半导体装置,其中,
8.根据权利要求4~7中任一项所述的氮化物半导体装置,其中,
9.根据权利要求1~3中任一项所述的氮化物半导...
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