【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种晶体管结构、驱动基板及显示面板。
技术介绍
1、传统的低温多晶硅顶栅结构显示器器件膜层设计中，缓冲层一般采用氮化硅+氧化硅的叠层结构。但由于氮化硅的光透过率小于氧化硅的光透过率，也即存在折射率差异，导致盲孔发蓝及一体黑等品位问题。同时由于氮化硅不容易被蚀刻而导致残留，引起四角发黄不良。
2、因此，相关技术中采用全氧化硅的缓冲层替换氮化硅+氧化硅的叠层以解决上述技术问题，但是由于沉积设备在缓冲层的成膜初期，会有功率不稳定的状况存在，导致底层膜质不佳，进而影响整个缓冲层的膜质稳定性。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种晶体管结构、驱动基板及显示面板，可以提高缓冲层的膜质稳定性。
2、本申请实施例提供一种晶体管结构，其包括：
3、基板；
4、缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板上；以及
5、晶体管，所述晶体管设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧；
6、其中，所述缓冲层包括依次叠设在所述基板上的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第二氧化硅层的含氢量大于4％，所述第一氧化硅层的含氢量小于所述第二氧化硅层的含氢量。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一氧化硅层的含氢量小于或等于4％，
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一氧化硅层的厚度大于或等于500埃。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二氧化硅层的折射率大于所述第一氧化硅层的折射率。p>
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二氧化硅层的厚度大于所述第一氧化硅层的厚度。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二氧化硅层的含氢量介于5％至9％。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二氧化硅层的折射率介于1.50至1.58之间。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲层还包括叠设在所述第二氧化硅层远离所述基板一侧的第三氧化硅层，所述第三氧化硅层的含氢量小于所述第二氧化硅层的含氢量。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三氧化硅层的含氢量大于或等于2％且小于或等于4％。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一氧化硅层的厚度介于500埃至1000埃之间，所述第二氧化硅层的厚度介于1000埃至2000埃之间，所述第三氧化硅层的厚度介于500埃至1000埃之间，所述第二氧化硅层的折射率大于所述第三氧化硅层的折射率。
16、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一氧化硅层的折射率介于1.45至1.49之间，所述第三氧化硅层的折射率介于1.45至1.49之间。
17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一氧化硅层的含氢量大于或等于2％。
18、可选的，在本申请的一些实施例中，所述晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述基板的一面上，所述源极连接于所述有源层的一端，所述漏极连接于所述有源层的另一端，所述有源层的材料为单晶硅或多晶硅。
19、相应的，本申请实施例还提供一种驱动基板，其包括如上述任意一项实施例所述的晶体管结构。
20、相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括上述实施例所述的驱动基板。
21、本申请实施例的晶体管结构的缓冲层采用第一氧化硅层作为缓冲层的底层，其中，第一氧化硅层的含氢量小第二氧化硅层的含氢量，也就是说，相较于第二氧化硅层，位于底层的第一氧化硅层为富氧膜层，由于第一氧化硅层的含氢量少，因此，第一氧化硅层的硅-氢键也较少，进而可提高全氧化硅的缓冲层在成膜初期的稳定性。
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1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的含氢量小于或等于4％。
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度大于或等于500埃。
4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的折射率大于所述第一氧化硅层的折射率。
5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度大于所述第一氧化硅层的厚度。
6.根据权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的含氢量介于5％至9％。
7.根据权利要求6所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的折射率介于1.50至1.58之间。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的晶体管结构，其特征在于，所述缓冲层还包括叠设在所述第二氧化硅层远离所述基板一侧的第三氧化硅层，所述第三氧化硅层的含氢量小于所述第二氧化硅层的含氢量。
9.根据权利要求8所述的晶体管结构，其特征在于，所述第三氧化硅层的含氢量大于或等于2％且小于或
10.根据权利要求9所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度介于500埃至1000埃之间，所述第二氧化硅层的厚度介于1000埃至2000埃之间，所述第三氧化硅层的厚度介于500埃至1000埃之间，所述第二氧化硅层的折射率大于所述第三氧化硅层的折射率。
11.根据权利要求10所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的折射率介于1.45至1.49之间，所述第三氧化硅层的折射率介于1.45至1.49之间。
12.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的含氢量大于或等于2％。
13.根据权利要求8所述的晶体管结构，其特征在于，所述晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述基板的一面上，所述源极连接于所述有源层的一端，所述漏极连接于所述有源层的另一端，所述有源层的材料为单晶硅或多晶硅。
14.一种驱动基板，其特征在于，包括如权利要求1-13任意一项所述的晶体管结构。
15.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求14所述的驱动基板。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的含氢量小于或等于4％。
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度大于或等于500埃。
4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的折射率大于所述第一氧化硅层的折射率。
5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度大于所述第一氧化硅层的厚度。
6.根据权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的含氢量介于5％至9％。
7.根据权利要求6所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二氧化硅层的折射率介于1.50至1.58之间。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的晶体管结构，其特征在于，所述缓冲层还包括叠设在所述第二氧化硅层远离所述基板一侧的第三氧化硅层，所述第三氧化硅层的含氢量小于所述第二氧化硅层的含氢量。
9.根据权利要求8所述的晶体管结构，其特征在于，所述第三氧化硅层的含氢量大于或等于2％且小于或等于4％。
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩成旼，林建钦，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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