一种多芯片侧装集成封装结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片侧装集成封装结构及方法，所述结构包括：基板；主芯片，所述主芯片焊接在基板上；侧装芯片，所述侧装芯片通过胶黏剂贴装在基板上，所述主芯片和侧装芯片侧面互联；塑封料，所述塑封料对主芯片和侧装芯片进行封装；所述方法包括以下步骤：第一步：将主芯片焊接到基板上；第二步：在侧装芯片的侧面制作管脚，表面制作植球并覆盖胶膜；第三步：在基板上点胶后将侧装芯片装到基板上；第四步：采用回流焊的工艺将主芯片和侧装芯片互联，同时侧装芯片表面的胶膜熔融后对空隙进行填充；第五步：在基板上填充塑封料，将主芯片和侧装芯片完全封装在塑封料内；第六步：在基板上制作植球，植球与主芯片互联。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术属于芯片封装，特别涉及一种多芯片侧装集成封装结构及方法。

技术介绍

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技术介绍
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1、3d晶圆级封装，英文简称(wlp)，包括cis发射器、mems封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(nor/nand)及sdram的叠层封装。主要特点包括：多功能、高效能；大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。

2、在尺寸和重量方面，3d设计替代单芯片封装缩小了器件尺寸、减轻了重量。与传统封装相比，使用3d技术可缩短尺寸、减轻重量达40-50倍；在速度方面，3d技术节约的功率可使3d元件以每秒更快的转换速度运转而不增加能耗等等。

3、常规的3d封装一般是垂直方向进行堆叠封装，如图1所示。垂直平铺时两颗芯片一般是相对独立的，芯片与芯片之间通过基板走线互连，并且平铺时也要求芯片与芯片之间有一定的距离，而这就导致了产品内部的空间利用率较低，对于产品小型化要求较高的电子产品，则难以满足要求。基于上述不足，本申请提出一种新的封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，所述侧装芯片至少有一层。

3.根据权利要求1或2所述的一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，所述侧装芯片的侧面制作有侧面管脚，所述侧面管脚用于与主芯片互联。

4.根据权利要求1或2所述的一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，所述侧装芯片的表面附有胶膜，所述胶膜用于熔融填充。

5.根据权利要求1所述的一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，所述基板上制作有植球，所述植球用于与主芯片互联。

6.一种多芯片侧装集成封...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，所述侧装芯片至少有一层。

3.根据权利要求1或2所述的一种多芯片侧装集成封装结构，其特征在于，所述侧装芯片的侧面制作有侧面管脚，所述侧面管脚用于与主芯片互联。

4.根据权利要求1或2所述的一种多芯片侧装集成封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏飞，刘卫东，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：