【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及三维集成电路封装，具体地，涉及一种三维集成电路封装微凸点激光打印方法。
技术介绍
1、三维集成电路是将多个二维集成电路堆叠形成的高密度集成电路，具有低延迟、高带宽、小体积等优势。目前，三维集成电路元件密度不断提高，微凸点作为各层芯片间电连接的重要部件也向着高密度、小节距、小体积的方向发展，为此需要高分辨率的微凸点制备方法。此外，多种类芯片的三维异构集成需要不同材料或尺寸的微凸点高工艺柔性制备方法。
2、目前常见的三维集成电路微凸点封装方法有掩膜电镀、激光植球、微滴喷射等方式。
3、申请号为cn202111370657.3的专利公开了一种利用掩膜光刻后电镀的微凸点制作方法。其首先将多颗待制备凸点的芯片转载在临时键合膜上，注塑成型后重构成圆片。与临时键合膜解键合后利用光刻技术在重构后芯片的焊盘上形成钝化层，并进行种子层溅射形成导电层。然后利用光刻胶图案化出电镀空间，一次电镀完成不同尺寸微凸点的沉积。最后湿法去除光刻胶和种子层并进行回流得到不同尺寸的微凸点并与芯片键合。但是，该制备方法过程繁琐，成本较高。...
【技术保护点】
1.一种三维集成电路封装微凸点激光打印方法，其特征在于，包括：将已制备微焊盘的芯粒放置到供体膜下方的卡盘上，利用脉冲激光对准辐照供体膜，使供体膜局部熔化并形成金属微滴喷射，沉积到微焊盘表面上，冷却凝固形成金属微凸点阵列。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路封装微凸点激光打印方法，其特征在于，所述金属微凸点的位置通过激光辐照薄膜的位置确定，通过调整激光光束辐照供体膜位置实现不同排布方式的图案化微凸点阵列制备。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路封装微凸点激光打印方法，其特征在于，所述微凸点阵列通过空间光调制器生成与待制备微凸点排布相同的图案化...
【技术特征摘要】
1.一种三维集成电路封装微凸点激光打印方法，其特征在于，包括：将已制备微焊盘的芯粒放置到供体膜下方的卡盘上，利用脉冲激光对准辐照供体膜，使供体膜局部熔化并形成金属微滴喷射，沉积到微焊盘表面上，冷却凝固形成金属微凸点阵列。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路封装微凸点激光打印方法，其特征在于，所述金属微凸点的位置通过激光辐照薄膜的位置确定，通过调整激光光束辐照供体膜位置实现不同排布方式的图案化微凸点阵列制备。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路封装微凸点激光打印方法，其特征在于，所述微凸点阵列通过空间光调制器生成与待制备微凸点排布相同的图案化光束阵列制备；或，通过振镜控制激光束偏转逐点辐照供体膜制备。
4.根据权利要求1所述的三...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡永祥，陆子杰，罗国虎，赵以时，吴迪，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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