【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，属于直拉硅单晶。
技术介绍
1、近年来，半导体市场需求持续高涨，半导体硅片和外延片又是制造各种半导体器件(包括晶体管、二极管、集成电路等)的基础，特别是在5g、人工智能、物联网等新兴技术的推动下，半导体硅片和外延片的市场规模将会继续扩大，如何在激烈的市场竞争中脱颖而出、独树一帜显得愈发重要，这需要我们的产品做到精益求精，严格按照客户需求生产产品，这需要精准控制单晶电阻率的范围。由于重掺掺杂元素具有挥发性，以此作为掺杂剂掺入硅熔体的过程及拉晶过程中均存在着大量挥发，如何保证硅单晶在诸多干扰因素中仍能准确打靶异常关键，这能提高硅单晶的整体收率，可有效降低甚至杜绝副产品的产出。在本领域中，打靶指的是单晶头部电阻率的控制，打靶异常即为单晶头部电阻率未在所预定范围内，打靶正常即为单晶头部电阻率在所预定范围内。
2、重掺硅单晶的生长关键步骤在于引晶、放肩、转肩、等径、收尾等过程，其中最有效利用的阶段就是等径。如何平衡拉晶过程中等径阶段的各项参数非常重要，控制合理的流量、压力、成晶时间对电阻率的控制也异常关键，协调好流量、压力、成晶时间三者关系，可成功拉制一根完好且符合电阻率规范要求的单晶。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，可大大提高单晶的电阻率合格率。
2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，包括以下步骤：
...【技术保护点】
1.一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，所述硅单晶为N型，晶向<100>，掺杂剂为As或红磷。
3.根据权利要求1或2所述的重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，步骤(2)中，目标电阻率区间为3-4mΩ·cm时，所述预定范围为3.70-3.90mΩ·cm；目标电阻率区间为1.20-1.35mΩ·cm时，所述预定范围为1.32-1.35mΩ·cm。
4.根据权利要求1或2所述的重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，采用四探针测试仪测试电阻率。
5.根据权利要求4所述的重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，将需要测试的等径部分柱面加工成平面，平面大小为5mm×5mm，平面数量为3个以上，每个平面测试多组数据，取平均值。
【技术特征摘要】
1.一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，所述硅单晶为n型，晶向<100>，掺杂剂为as或红磷。
3.根据权利要求1或2所述的重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，其特征在于，步骤(2)中，目标电阻率区间为3-4mω·cm时，所述预定范围为3.70-3.90mω·cm；目...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凯磊，李英涛，王万华，皮小争，方峰，崔彬，
申请(专利权)人：山东有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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