【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光粒子的制造方法及含有所获得的发光粒子的组合物的制造方法。
技术介绍
1、已知纳米级的粒子(纳米粒子)由于量子尺寸效应而表现出与体积不同的物性。例如，作为化合物半导体的纳米粒子的cdse量子点在室温下显示发光，能够根据粒子尺寸对发光波长进行控制，因此正在研究将其用于液晶显示器的背光用波长转换膜、彩色滤光片等。cdse量子点先前是使用间歇式反应器(batch reactor)来制造，但为了在目标波长下获得颜色纯度高的发光，要求适当的粒子尺寸且粒子尺寸的偏差少。因此，为了获得这样的量子点，提出了使用流动反应器的制造方法(专利文献1及专利文献2)。流动反应器是在流体中的微小空间中进行化学反应，因此能够适当地控制纳米粒子的粒子尺寸。
2、近年来，发现了包含金属卤化物的半导体纳米粒子的一种、即具有钙钛矿结构的量子点，主要通过间歇式反应器来制造。钙钛矿量子点例如由cspbx3(x＝cl、br、i)那样的化学式表示，能够根据粒径与卤化物离子的组成来调整发光波长(非专利文献1)。钙钛矿量子点由于光致发光量子产率(phot...
【技术保护点】
1.一种发光粒子的制造方法，所述发光粒子具备：包含半导体纳米粒子的核、以及经由氨基而与所述核结合的配位体层，所述配位体层包含硅氧烷键，所述发光粒子的制造方法具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的发光粒子的制造方法，所述第一液体或所述第二液体中的至少一者含有下述通式(L1)所表示的化合物：
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述第一液体及第二液体中的任一者含有一价阳离子A，另一者含有金属离子B与卤化物离子X。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述第一液体及第二液体中的任一者含有一价阳离子...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光粒子的制造方法，所述发光粒子具备：包含半导体纳米粒子的核、以及经由氨基而与所述核结合的配位体层，所述配位体层包含硅氧烷键，所述发光粒子的制造方法具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的发光粒子的制造方法，所述第一液体或所述第二液体中的至少一者含有下述通式(l1)所表示的化合物：
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述第一液体及第二液体中的任一者含有一价阳离子a，另一者含有金属离子b与卤化物离子x。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述第一液体及第二液体中的任一者含有一价阳离子a、金属离子b、卤化物离子x、以及第一溶剂，另一者含有所述半导体纳米粒子的溶解度比第一溶剂低的第二溶剂。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述半导体纳米粒子由包含a、b及x的化合物半导体构成，式中，a表示一价阳离子，b表示金属离子，x表示卤化物离子。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述半导体纳...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀口雅弘，青木良夫，延藤浩一，乙木荣志，野中祐贵，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：
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