薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，包括衬底，衬底内设有空腔；压电震荡堆位于衬底上，压电震荡堆包括第一电极，第一电极位于衬底上，且覆盖空腔；压电层和电容介质层分别位于第一电极上；第二电极分别位于压电层和电容介质层上；保护层位于第二电极的部分表面上，保护层还包裹电容介质层的裸露部分；和PAD层，PAD层分别位于第一电极和第二电极的裸露表面上，从而分别将第一电极和第二电极引出。该器件结构简单，且集成的电容器件不易被腐蚀。本发明专利技术还提供了该薄膜体声波器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于mems器件，具体涉及薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构及制备方法。

技术介绍

1、随着移动通讯技术的快速发展，市场对高度集成、高性能滤波器的需求越来越高。将薄膜体声波器件与电容器件进行集成实现滤波器的高频性能是现今研究的热点。

2、公开号为cn114362717a的中国专利公开了一种薄膜体声波谐振器，包括：衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的下电极、压电层、上电极和电容结构，所述电容结构与所述上电极连接；所述压电层背离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述电容结构包括第一极板、第二极板以及位于所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述上电极和所述第一极板依次层叠于所述第一区域，所述第一极板与所述上电极连接，所述第二极板位于所述第二区域。该专利将薄膜体声波器件和电容器件分别制造在两个不同的芯片或模块中，然后将它们键合在一起。该集成得到的器件结构复杂，制造成本较高和复杂的电路设计。

3、目前将薄膜体声波器件和电容集成还有一种方式，是将薄膜体声波器件和电容使用同一个电极材料和pad来制备，p>

4、公开号本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，包括衬底、压电震荡堆、保护层和PAD层：

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，所述第二电极还位于压电层上，所述第二电极包括薄膜体声波器件第二电极和电容器件第二电极：

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，所述保护层还沉积在电容介质层上，所述电容介质层位于第一电极上且具有包裹第一电极侧面的折边，所述电容器件第二电极包裹电容介质层的折边和部分上表面，在未被包裹的电容介质层和电容器件第二电极表面沉积保护层形成由保护层和第二电极组...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，包括衬底、压电震荡堆、保护层和pad层：

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，所述第二电极还位于压电层上，所述第二电极包括薄膜体声波器件第二电极和电容器件第二电极：

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，所述保护层还沉积在电容介质层上，所述电容介质层位于第一电极上且具有包裹第一电极侧面的折边，所述电容器件第二电极包裹电容介质层的折边和部分上表面，在未被包裹的电容介质层和电容器件第二电极表面沉积保护层形成由保护层和第二电极组成的电容保护结构。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在于，未被电容器件第二电极包裹的电容介质层上表面的横向尺寸为至少2μm。

5.根据权利要求2所述的薄膜体声波器件与片上无源器件单片集成结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，
申请(专利权)人：杭州树芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：