【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件辐射效应仿真，尤其涉及一种电子器件的位移辐射效应仿真方法。
技术介绍
1、空间高能带电粒子对卫星上电子器件产生辐射损伤效应是故障乃至事故的重要原因。当今随着科学技术的发展，对星用电子元器件的价格、重量、尺寸、性能及寿命等各方面都有了更高的要求。伴随着这些要求的提高，空间高能带电粒子辐射环境对电子器件的影响就显得更加重要。由于空间带电粒子辐射环境极其复杂(能谱范围从几ev到gev)，导致航天器很容易受到位移损伤。
2、位移辐射损伤的直接结果是产生间隙原子和空位缺陷，成为靶材料内形成各种缺陷陷阱或俘获中心的前驱体。对器件性能的直接影响是降低少数载流子的寿命，导致半导体器件的电学或光学性能下降或衰降。
3、位移辐射效应仿真是电子器件空间辐射效应仿真的重要组成部分，准确高效的仿真方法可以预测器件的抗位移损伤能力。目前国内，电子器件的位移辐射损伤方法还处在探索阶段，亟需探索高效准确的电子器件位移损伤仿真方法，为电子器件的空间应用提供技术支撑。
技术实现思路
1、(一)专利技术目的
2、本专利技术的目的是提供一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，以解决现有技术无法探索高效准确的电子器件位移损伤仿真方法的技术问题。
3、(二)技术方案
4、为解决上述问题，本专利技术提供了一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，包括：
5、器件结构构建；
6、初始网格区域划分；
7、电学特性解向量设置；
8、解方程组得到各点解。
9、可选地，电学特性解向量设置之后包括：
10、使用位移效应泊松方程。
11、可选地，使用位移效应泊松方程之后包括：
12、使用位移效应连续性方程。
13、可选地，解方程组得到各点解包括：
14、根据srh复合模型可知：
15、
16、us为复合率(cm-3s-1)；
17、p和n分别为空穴和电子的浓度(cm-3)；
18、ni：为硅中本征载流子浓度(cm-3)；
19、et为缺陷陷阱的能级(ev)；
20、ei为硅中的本征能级(ev)；
21、q为电荷的电荷量(c)；
22、k为玻尔兹曼常数(j k-1)；
23、t为温度(k)；
24、τn和τp分别为电子和空穴的寿命，具体等于：
25、
26、
27、其中，vn和vp分别为电子和空穴的热速度(cm s-1)，σn和σp为电子和空穴的俘获截面(cm2)，nt为缺陷陷阱的浓度(1/cm3)；
28、根据式(1)，可以得到位移缺陷导致载流子在缺陷处的复合率；
29、通过式(4)和(5)进行计算得到缺陷带电的概率：
30、
31、
32、其中，epa为受主型缺陷对空穴的发射率；epd为施主型缺陷对空穴的发射率；ena为受主型缺陷对电子的发射率；end为受主型缺陷对空穴的发射率；相应的计算公式如下：
33、
34、
35、
36、
37、(三)有益效果
38、本专利技术的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
39、本专利技术中，针对位移辐射损伤的直接结果是产生间隙原子和空位缺陷，在靶材料内形成各种缺陷陷阱或俘获中心的前驱体。对器件性能的直接影响是降低少数载流子的寿命，导致半导体器件的电学或光学性能衰降和下降。采用器件结构构建；初始网格区域划分；电学特性解向量设置；解方程组得到各点解。从而提出一种高效准确的电子器件位移损伤仿真方法，为电子器件的空间应用提供技术支撑，解决了解决现有技术无法探索高效准确的电子器件位移损伤仿真方法的技术问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的仿真方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，崔秀海，杨剑群，刘中利，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。