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本发明公开了一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，涉及电子器件辐射效应仿真技术领域。所述仿真方法包括：器件结构构建；初始网格区域划分；电学特性解向量设置；解方程组得到各点解。从而提出一种高效准确的电子器件位移损伤仿真方法，为电子器件的空间应用...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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