【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，具体涉及一种接触沟槽形成方法和半导体器件。
技术介绍
1、在半导体器件中，前后段一般通过接触孔进行连接，而部分器件如功率场效应管(powermos)和整合驱动型场效芯片(drmos)，其前后段的主要连接结构为接触沟槽。
2、然而，目前在制备高深宽比的接触沟槽的过程中，所形成的接触沟槽底部的关键尺寸较小，无法满足实际需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种接触沟槽形成方法和半导体器件，可以增大接触沟槽底部的关键尺寸。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种接触沟槽形成方法，包括：
3、提供一待蚀刻半导体结构，所述待蚀刻半导体结构由下至上依次包括半导体衬底、氧化层、缓冲层、介电层和抗反射涂层；
4、在所述抗反射涂层上形成具有蚀刻窗口的光刻胶层；
5、基于所述蚀刻窗口对所述待蚀刻半导体结构进行多次蚀刻工艺，形成暴露所述半导体衬底的接触沟槽；
6、去除所述光刻胶层。
7、在本申请实施例...
【技术保护点】
1.一种接触沟槽形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述基于所述蚀刻窗口对所述待蚀刻半导体结构进行多次蚀刻工艺，形成暴露所述半导体衬底的接触沟槽，包括：
3.如权利要求2所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻处理、所述第二蚀刻处理、所述第三蚀刻处理、所述第四蚀刻处理和所述第五蚀刻处理的蚀刻参数均不相同。
4.如权利要求1～3任一项所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述第二蚀刻处理的蚀刻参数包括反应腔压力、高频射频功率、低频射频功率、第一反应气体流量、第二反应气体流量和第三反应
<...【技术特征摘要】
1.一种接触沟槽形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述基于所述蚀刻窗口对所述待蚀刻半导体结构进行多次蚀刻工艺，形成暴露所述半导体衬底的接触沟槽，包括：
3.如权利要求2所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻处理、所述第二蚀刻处理、所述第三蚀刻处理、所述第四蚀刻处理和所述第五蚀刻处理的蚀刻参数均不相同。
4.如权利要求1～3任一项所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述第二蚀刻处理的蚀刻参数包括反应腔压力、高频射频功率、低频射频功率、第一反应气体流量、第二反应气体流量和第三反应气体流量；
5.如权利要求4所述的接触沟槽形成方法，其特征在于，所述第一反应气体为c4f6，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，陈勇树，李志宏，阮杰平，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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