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本申请实施例公开了一种接触沟槽形成方法和半导体器件，该半导体器件的制造方法包括提供一待蚀刻半导体结构，待蚀刻半导体结构由下至上依次包括半导体衬底、氧化层、缓冲层、介电层和抗反射涂层；在抗反射涂层上形成具有蚀刻窗口的光刻胶层；基于蚀刻窗口对待...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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