磁存储阵列及其制备方法、数据访问方法技术

本发明专利技术提供一种磁存储阵列及其制备方法、数据访问方法，属于半导体技术领域。该磁存储阵列包括多个呈阵列布置的磁存储单元以及与每个磁存储单元适配的写访存晶体管，写访存晶体管的第一端与SOT底电极层的第一端连接。对于每行磁存储单元，该行的写访存晶体管的栅极连接，形成行控制线，对于每列磁存储单元，该列的写访存晶体管的第二端连接，形成第一电压控制线，该列的SOT底电极层的第二端连接，形成第二电压控制线，该列的磁隧道结MTJ连接，形成第三电压控制线。本发明专利技术所提供的磁存储阵列，包括多个呈阵列布置的磁存储单元，每个磁存储单元仅配置写访存晶体管，读访存晶体管被移除，具有更简单的电路结构，更小的版图占用，更大的存储密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地涉及一种磁存储阵列及其制备方法、数据访问方法。

技术介绍

1、自旋轨道矩磁随机存储器(spin orbit torque-magnetic random accessmemory，sot-mram)是利用电流，翻转磁隧道结(magnetic tunnel junction，mtj)的磁性自由层，来实现数据存储的存储设备。sot-mram具有高速读写和低功耗的优点，应用前景广阔。

2、随着互联网时代的发展，数据呈现爆炸式增长，为了满足海量数据处理的迫切需求，需要通过磁存储阵列存储大量数据。磁存储阵列包括多个呈阵列分布的磁存储单元(例如，sot-mram器件)和对应的控制mos管。控制mos管包括两个mos管，写访存晶体管(例如，写选通mos管)和读访问晶体管(例如，读选通mos管)。这种磁存储阵列结构占用版图面积大，版图结构较为复杂，存储密度较低，不利于存储器件的集成。

技术实现思路

1、本专利技术实施例的目的是提供一种磁存储阵列，该磁存储阵列有利于存储器件的集成。...

【技术保护点】

1.一种磁存储阵列，其特征在于，所述磁存储阵列包括多个呈阵列布置的磁存储单元以及与每个磁存储单元适配的写访存晶体管，所述每个磁存储单元包括SOT底电极层和磁隧道结MTJ，所述写访存晶体管的第一端与所述SOT底电极层的第一端连接，

2.根据权利要求1所述的磁存储阵列，其特征在于，所述通过控制所述行控制线、所述第一电压控制线、所述第二电压控制线及所述第三电压控制线的电压，完成对选定的磁存储单元的所述磁隧道结MTJ的数据读取，包括：

3.根据权利要求2所述的磁存储阵列，其特征在于，控制所述第三电压控制线接地，以控制通入所述第三电压控制线的电压大小与所述第一电压不同。...

【技术特征摘要】

1.一种磁存储阵列，其特征在于，所述磁存储阵列包括多个呈阵列布置的磁存储单元以及与每个磁存储单元适配的写访存晶体管，所述每个磁存储单元包括sot底电极层和磁隧道结mtj，所述写访存晶体管的第一端与所述sot底电极层的第一端连接，

2.根据权利要求1所述的磁存储阵列，其特征在于，所述通过控制所述行控制线、所述第一电压控制线、所述第二电压控制线及所述第三电压控制线的电压，完成对选定的磁存储单元的所述磁隧道结mtj的数据读取，包括：

3.根据权利要求2所述的磁存储阵列，其特征在于，控制所述第三电压控制线接地，以控制通入所述第三电压控制线的电压大小与所述第一电压不同。

4.根据权利要求1所述的磁存储阵列，其特征在于，所述存储器阵列实现数据写入的过程包括：

5.根据权利要求1所述的磁存储阵列，其特征在于，所述sot底电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张和，欧乾雷，王昭昊，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：