针对具有替换栅极配置的四层级存储器单元的译码制造技术

技术编号:40424365 阅读:15 留言:0更新日期:2024-02-20 22:44
本申请涉及针对具有替换栅极配置的四层级存储器单元的译码。可接收数据以用于存储在存储器装置中,所述存储器装置包含具有存储器单元的存储器阵列,所述存储器单元具有替换栅极配置。可使用单位距离码将所述数据分配到所述存储器单元中的一个存储器单元内的多个不同类型的页。可至少部分地基于使用所述单位距离码将所述数据分配到所述存储器单元内的所述不同类型的所述多个页而将所述数据写入到所述存储器单元内的所述不同类型的所述多个页,以按避免跨越不同类型的所述多个页的不一致电压移位的方式分配所述页。

【技术实现步骤摘要】

本涉及针对具有替换栅极配置的四层级存储器单元的译码


技术介绍

1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说,二进制存储器单元可编程为两个支持状态中的一个,常常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两个可能的状态,所述状态中的任一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息,组件可读取(例如,感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息,组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入(例如,编程、设置、分配)到对应状态。

2、存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、“或非”(nor)和“与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其中:

4.根据权利要求3所述的方法,其中:

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述单位距离码包括所述存储器单元内的所述四个页类型中的一个页类型的三个例子,以及其它三个页类型中的每一个的四个例子。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述单位距离码的第一数字对应于所述四个页类型中的下部页类型,所述单位距离码的第二数字对应于所述四个页类型中的上部页类型,所述单位距离码的第三数字对应于所述四个页类型中的额外页类型,并且所述单位距离码...

【技术特征摘要】

1.一种方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其中:

4.根据权利要求3所述的方法,其中:

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述单位距离码包括所述存储器单元内的所述四个页类型中的一个页类型的三个例子,以及其它三个页类型中的每一个的四个例子。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述单位距离码的第一数字对应于所述四个页类型中的下部页类型,所述单位距离码的第二数字对应于所述四个页类型中的上部页类型,所述单位距离码的第三数字对应于所述四个页类型中的额外页类型,并且所述单位距离码的第四数字对应于所述四个页类型中的顶部页类型。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述四个页类型中的所述顶部页类型在所述存储器单元的最高六个电压阈值中仅具有单个分布。

8.根据权利要求6所述的方法,其中:

9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述四个页类型中的所述额外页类型在所述存储器单元的最高六个电压阈值中具有两个分布。

10.根据权利要求6所述的方法,其中,所述四个页类型中的每一个在所述存储器单元的最高四个电压阈值中具有一个分布。

11.根据权利要求6所述的方法,其中,所述存储器单元的最高六个电压阈值包含所述四个页类型中数量小于二的任一个页类型。

12.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:C·伊根
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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