一种磁性存储器制造技术

本公开提供一种磁性存储器，涉及半导体技术领域。该磁性存储器包括：第一芯粒，其上集成存储阵列区；第二芯粒，其上集成外围电路区；第一芯粒和第二芯粒分别制作并封装。本示例性实施例中的磁性存储器，采用芯粒设计和相应的封装技术制作而成，能够提高磁性存储器的可靠性，降低加工工艺难度的同时，提高良品率、降低生产成本，并且通过对磁性存储器的读写进行独立控制，降低了磁性存储器的功耗。该磁性存储器的可以应用于航空航天、汽车电子、物联网设备等广泛的领域。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种磁性存储器。

技术介绍

1、相关技术中，磁性存储器具有非易失性、无限的读/写、高耐久性、快速访问时间、低工作电压等特点，因此逐步得到了广泛关注。但是磁性存储器的可靠性较低、功耗较高，并且在加工过程中的良品率较低，加工成本也较高。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种磁性存储器。

3、本公开的第一方面提供一种磁性存储器，所述磁性存储器包括：

4、第一芯粒，其上集成存储阵列区；

5、第二芯粒，其上集成外围电路区；

6、所述第一芯粒和所述第二芯粒分别制作并封装。

7、本公开一些实施例中，所述存储阵列区包括阵列设置的多个存储单元，每个所述存储单元包括一个磁性隧道结和一个晶体管，所述磁性隧道结与所述晶体管的漏极连接；

8、相邻的两个所述存储单元的晶体管共用同一个源区。

9、本公开一些实施例中，每个所述存储单元的晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括：

2.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述存储阵列区包括阵列设置的多个存储单元，每个所述存储单元包括一个磁性隧道结和一个晶体管，所述磁性隧道结与所述晶体管的漏极连接；

3.根据权利要求2所述的磁性存储器，其特征在于，每个所述存储单元的晶体管为埋栅型晶体管、鳍式场效应晶体管、水平环栅晶体管、或垂直环栅晶体管。

4.根据权利要求2所述的磁性存储器，其特征在于，所述存储阵列区包括多条沿行方向延伸的位线和多条沿列方向延伸的字线，所述存储阵列区的多个所述存储单元形成多行多列阵列，多条所述位线与多行所...

【技术特征摘要】

1.一种磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括：

2.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述存储阵列区包括阵列设置的多个存储单元，每个所述存储单元包括一个磁性隧道结和一个晶体管，所述磁性隧道结与所述晶体管的漏极连接；

3.根据权利要求2所述的磁性存储器，其特征在于，每个所述存储单元的晶体管为埋栅型晶体管、鳍式场效应晶体管、水平环栅晶体管、或垂直环栅晶体管。

4.根据权利要求2所述的磁性存储器，其特征在于，所述存储阵列区包括多条沿行方向延伸的位线和多条沿列方向延伸的字线，所述存储阵列区的多个所述存储单元形成多行多列阵列，多条所述位线与多行所述存储单元一一对应，多条所述字线与多列所述存储单元一一对应，所述位线与位于同一行的多个所述存储单元的磁性隧道结连接，所述字线与位于同一列的多个所述存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉辉，张云森，康卜文，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：