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本公开提供一种磁性存储器，涉及半导体技术领域。该磁性存储器包括：第一芯粒，其上集成存储阵列区；第二芯粒，其上集成外围电路区；第一芯粒和第二芯粒分别制作并封装。本示例性实施例中的磁性存储器，采用芯粒设计和相应的封装技术制作而成，能够提高磁性存...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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