【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种防止冷启动攻击的方法及装置、存储器。
技术介绍
1、通常，在计算机系统的电源被切断后，保存在动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，dram)中的数据会在掉电后保留数秒钟之久而不发生明显的丢失(即，存储单元的值反转)。如果使用冷却技术进行降温，数据保留的时间会大大增加。冷启动攻击也正是依托于此，攻击者可以利用短暂的数据保留时间，窃取dram中的数据。
2、目前，冷启动攻击的过程如下：首先，使用冷却剂对正在运行中的目标机(即，待攻击的计算机)的内存进行冷却；然后，切断目标机的电源，拔下内存，迅速插入到执行机(即，用于执行攻击的计算机)中，启动执行机；接着，执行机启动后将自动加载引导程序，引导程序将目标机的内存转储到磁盘等永久存储介质中进行后续分析；最后，使用特定的算法从目标机的内存映像中恢复出密钥，攻破密码系统。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种防止冷启...
【技术保护点】
1.一种防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述在所述存储器重启上电到退出掉电模式期间，将所述第一存储区域的电压模式设置为破坏模式，以破坏所述第一存储区域内存储的数据，包括：
3.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述在所述存储器重启上电到退出掉电模式期间，将所述第一存储区域的电压模式设置为破坏模式，以破坏所述第一存储区域内存储的数据，包括：
4.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述在所述存储器重启上电到退出掉电模式期间，将所述第一存储区域的电压模式设置为破坏模式，以破坏所述第一存储区域内存储的数据，包括：
3.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述在所述存储器重启上电到退出掉电模式期间，将所述第一存储区域的电压模式设置为破坏模式，以破坏所述第一存储区域内存储的数据，包括：
4.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述在所述存储器退出掉电模式之前，将所述第一存储区域的电压模式恢复至正常模式，包括：
6.根据权利要求1所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述第一存储区域和所述第二存储区域均包括多个存储单元，每个所述存储单元包括存储电容和晶体管；其中，所述存储电容用于存储写入所述存储单元的数据。
7.根据权利要求6所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述将所述第一存储区域的操作模式设置为破坏模式，以破坏所述第一存储区域内存储的数据，包括：
8.根据权利要求6所述的防止冷启动攻击的方法，其特征在于，所述将所述第一存储区域的操作模式设置为破坏模式，以破坏所述第一存储区域内存储的数据，包括：
9.一种防止冷启动攻击的装置，其特征在于，所述装置包括：
10.根据权利要求9所述的防止冷启动攻击的装置，其特征在于，所述破坏模式模块具体用于：在所述存储器进行复位操作期间，将所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：章恒嘉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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