【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺技术的逐步发展，半导体工艺节点遵循摩尔定律的发展趋势不断减小。为了适应工艺节点的减小，mosfet场效应管的沟道长度也相应不断缩短。然而随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极对沟道的控制能力变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthresholdleakage)现象，即所谓的短沟道效应(sce：short-channel effects)更容易发生。
2、因此，为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)。finfet中，栅极至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面mosfet相比，栅极对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应；且finfet相对于其他器件，与现有集成电路制造具有更
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：空气隙，由所述鳍部的底部和所述介电层的表面围成。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的底部宽度为第一宽度，所述介电层的宽度为第二宽度，所述第二宽度和第一宽度的比值为1/4至1/3。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层，位于所述鳍部侧部的衬底上，并覆盖所述鳍部的部分侧壁；所述介电层顶部至所述隔离层顶部的距离为10nm至15nm。
5.如权利要求1～4中任一项...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：空气隙，由所述鳍部的底部和所述介电层的表面围成。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的底部宽度为第一宽度，所述介电层的宽度为第二宽度，所述第二宽度和第一宽度的比值为1/4至1/3。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层，位于所述鳍部侧部的衬底上，并覆盖所述鳍部的部分侧壁；所述介电层顶部至所述隔离层顶部的距离为10nm至15nm。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部具有有效高度；所述鳍部包括底部鳍部以及位于所述底部鳍部上的顶部鳍部，所述底部鳍部的宽度大于所述顶部鳍部的宽度，且所述顶部鳍部的高度大于所述有效高度；
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的底部宽度为第一宽度，所述鳍部的中间宽度为第三宽度，所述第一宽度和第三宽度的比值大于1/3；其中，所述中间宽度为所述鳍部的二分之一高度位置处的宽度。
7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的材料包括硅、锗化硅、锗和ⅲ-ⅴ族半导体材料中的一种或多种。
8.如权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层的材料为非金属介电材料，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。
9.如权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层的厚度为3nm至10nm。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：李政宁，汪刘建，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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