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文档序号:40424148

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一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:衬底;鳍部,位于所述衬底上;介电层,位于所述鳍部的底部和所述衬底之间,且被所述鳍部覆盖。本发明在鳍部和衬底之间设置介电层,介电层有利于抑制源漏掺杂区之间的穿通,相应减小源漏掺杂区之间漏电流,从而能...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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