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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；鳍部，位于所述衬底上；介电层，位于所述鳍部的底部和所述衬底之间，且被所述鳍部覆盖。本发明在鳍部和衬底之间设置介电层，介电层有利于抑制源漏掺杂区之间的穿通，相应减小源漏掺杂区之间漏电流，从而能...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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