【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路隔离浪涌保护，具体涉及一种基于电压叠加控制的隔离浪涌保护电路。
技术介绍
1、相关技术中对于浪涌保护电路比较常用的方法是采用一些防浪涌器件如抑制二极管，压敏电阻，气体放电管等分立元器件搭建而成，这些器件都有一个钳位电压，一旦超过钳位电压，器件就会在连接点之间产生一个低阻抗，从而转移有害的电流，但是该浪涌电路适应的范围为kv级别的高压浪涌，而且因为转移的能量很大而且不能长时间维持，以上器件反应太慢不能保护后面的电路，有可能造成不可逆的损坏。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种基于电压叠加控制的隔离浪涌保护电路，能够承受长时间的浪涌，有效预防过高的电压对后级电路产生影响。
2、本专利技术采用的具体技术方案如下：
3、本专利技术实施例提供了一种基于电压叠加控制的隔离浪涌保护电路，包括：金氧半场效晶体管mos管、输入单元、电压叠加控制单元、输出单元；输入单元，与所述mos管的漏极连接，用于接收高压电信号；电压叠加控制单元，与所述mos管的栅极连接，用于控制所述mos管的开关状态；所述电压控制单元包括多个串联电阻；输出单元，与所述mos管的源极连接，作为所述隔离浪涌保护电路的输出端。
4、进一步地，所述输入单元包括：第一稳压管；所述第一稳压管的一端连接至所述mos管的漏极，所述第一稳压管的另一端连接输入电压。
5、进一步地，所述多个串联电阻包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻；所述第一电阻的一端与所述mos管的栅极
6、进一步地，所述电压叠加控制单元还包括：第二稳压管和第一电容；所述第二稳压管的一端与所述mos管的栅极连接，所述第二稳压管的另一端接地；所述第一电容与所述第二稳压管并联。
7、进一步地，所述输出单元包括磁珠，所述磁珠的一端连接所述mos管的源极，所述磁珠的另一端连接输出电压。
8、有益效果：
9、(1)本专利技术实施例提供了一种基于电压叠加控制的隔离浪涌保护电路，输入单元与mos管的漏极连接，用于接收高压电信号；电压叠加控制单元与mos管的栅极连接，用于控制mos管的开关状态；电压控制单元包括多个串联电阻；输出单元与mos管的源极连接，作为隔离浪涌保护电路的输出端。隔离浪涌保护电路能够输入更宽范围的电压，以及承受长时间的浪涌，有效预防过高的电压对后级电路产生影响。
10、(2)电压叠加控制单元包括第二稳压管，可以控制输出电压的最高电压不能超过稳压管的稳压值。
11、(3)输入单元包括第一稳压管，可以将高压电源钳位到稳压管的反向电压，用来预防过高的输入电压将mos管烧坏。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于电压叠加控制的隔离浪涌保护电路，其特征在于，包括：金氧半场效晶体管MOS管、输入单元、电压叠加控制单元、输出单元；
2.如权利要求1所述的隔离浪涌保护电路，其特征在于，所述输入单元包括：第一稳压管；所述第一稳压管的一端连接至所述MOS管的漏极，所述第一稳压管的另一端连接输入电压。
3.如权利要求1所述的隔离浪涌保护电路，其特征在于，所述多个串联电阻包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻；
4.如权利要求1所述的隔离浪涌保护电路，其特征在于，所述电压叠加控制单元还包括：第二稳压管和第一电容；
5.如权利要求1所述的隔离浪涌保护电路，其特征在于，所述输出单元包括磁珠，所述磁珠的一端连接所述MOS管的源极，所述磁珠的另一端连接输出电压。
【技术特征摘要】
1.一种基于电压叠加控制的隔离浪涌保护电路，其特征在于，包括：金氧半场效晶体管mos管、输入单元、电压叠加控制单元、输出单元；
2.如权利要求1所述的隔离浪涌保护电路，其特征在于，所述输入单元包括：第一稳压管；所述第一稳压管的一端连接至所述mos管的漏极，所述第一稳压管的另一端连接输入电压。
3.如权利要求1所述的隔离浪涌...
【专利技术属性】
技术研发人员：张克业，郭荣，
申请(专利权)人：中勍科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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