石墨坩埚、坩埚托盘和单晶炉制造技术

本发明专利技术涉及一种石墨坩埚，包括本体，所述本体包括侧壁和底部，所述底部包括中心区域和围设在所述中心区域的外围的边缘区域，所述边缘区域设置有第一通孔；所述侧壁包括竖直部分和弯曲部分，所述弯曲部分设置有第二通孔。本发明专利技术还涉及一种坩埚托盘和单晶炉。本发明专利技术石墨坩埚，在所述本体的底部设置所述第一通孔，并在所述侧壁的所述弯曲部分设置第二通孔，弯曲部分产生的气体从所述第二通孔排出，石墨坩埚底部产生的气体从所述第一通孔直接排出，减少对石墨坩埚的侧壁的冲刷，且避免石墨坩埚和石英坩埚之间产生的气体在石墨坩埚和石英坩埚之间累积，增加坩埚的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体产品制作，尤其涉及一种石墨坩埚、坩埚托盘和单晶炉。

技术介绍

1、采用直拉法生成单晶硅会使用石墨坩埚组件，将石英坩埚安装在石墨坩埚内，拉晶时将多晶硅装在石英坩埚内，加热将多晶硅化为硅熔液，采用直拉法生成为单晶硅。

2、在拉晶时石墨坩埚和石英坩埚之间会发生反应生成co或co2气体，生成的co或co2气体会随着坩埚瓣缝隙排出，因只有缝隙处气体才可以排出，故对坩埚缝隙造成集中冲刷，使坩埚瓣缝隙处得坩埚厚度变薄，特别是r角位置，减少了坩埚使用寿命；再者石墨坩埚底部和r角位置生成的气体若不及时排走(化料过程中石英坩埚会变软紧贴石墨坩埚)，气体累积可能导致石英坩埚被气体撑起而发生变形，致使不能继续拉晶或造成事故对热场部件产生损害；再者生成的气体会从石墨坩埚上沿排出，这时co或co2气体有可能熔入到硅熔液中，与硅熔液反应，将碳留在熔液中，即会造成硅晶棒中碳污染。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种石墨坩埚、坩埚托盘和单晶炉，解决石墨坩埚和石英坩埚之间产生的气体无法及时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨坩埚，其特征在于，包括本体，所述本体包括侧壁和底部，

2.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第一通孔的延伸方向与所述本体的轴向方向相平行。

3.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第一通孔在所述本体的径向方向上的截面形状为圆形；

4.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，沿所述本体的周向方向，所述弯曲部分设置多个所述第二通孔；

5.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，沿所述本体的周向方向，所述竖直部分设置有多个第三通孔；

6.根据权利要求5所述的石墨坩埚，其特征在于，所述本体包括多个瓣...

【技术特征摘要】

1.一种石墨坩埚，其特征在于，包括本体，所述本体包括侧壁和底部，

2.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第一通孔的延伸方向与所述本体的轴向方向相平行。

3.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第一通孔在所述本体的径向方向上的截面形状为圆形；

4.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，沿所述本体的周向方向，所述弯曲部分设置多个所述第二通孔；

5.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，沿所述本体的周向方向，所述竖直部分设置有多个第三通孔；

6.根据权利要求5所述的石墨坩埚，其特征在于，所述本体包括多个瓣体，每个所述瓣体包括构成所述侧壁的一部分的第一部分和构成所述底部的一部分的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁万亮，杨文武，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：