一种碳化硅生长过程的控制方法、碳化硅与装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种碳化硅生长过程的控制方法、碳化硅与装置，所述控制方法包括：采用统一的生长配方来控制碳化硅的生长过程；所述生长配方包括碳化硅的生长过程中所有的控制步骤，及所述控制步骤中所有的控制参数。本发明专利技术提供的控制方法通过将碳化硅生长过程中的所有控制步骤及控制步骤中所有的控制参数转化为生长配方控制的方式，从而实现了碳化硅生长的全过程智能化控制，降低了碳化硅生长过程中的不可控风险，提升了良品率，还降低了人力成本低，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅，涉及一种碳化硅生长过程的控制方法，尤其涉及一种碳化硅生长过程的控制方法、碳化硅与装置。

技术介绍

1、第三代半导体材料-碳化硅处于快速发展与扩产的时期，在产业化过程中，使用pvt法生长碳化硅晶体是主流工艺。每炉晶体生长完毕后，生长过程中需要人工操作。此种方式对人工要求极高，对操作人员的依懒性也很强。而且，第一方面，当前碳化硅生长的这种生产运行模式，由于会掺入较多的人为主观因素，故而会增加碳化硅晶体生产过程的不可控风险；另一方面，该种模式不但会导致较高的人力成本，还会导致生产效率的下降。

2、cn116227896a公开了一种碳化硅生产工单管理方法及系统，涉及智能管理
，加载碳化硅新增工单信息与碳化硅生产车间基本信息，确定设备产能信息；获取碳化硅原料预存量，当设备产能信息不满足工单规模信息进行工单生产序列优化；当碳化硅原料预存量不满足工单规模信息时进行原料采购优化，完成碳化硅生产工单管理。

3、cn115993807a公开了一种碳化硅的生产监测优化控制方法及系统，涉及碳化硅
，该方法包括：读取碳化硅的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅生长过程的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：采用统一的生长配方来控制碳化硅的生长过程；

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括加热线圈自动复位；

3.根据权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括生长腔密封性自动判定；

4.根据权利要求1～3任一项所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括自动进行测温孔对准；

5.根据权利要求1-4任一项所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括全自动温度控制模式；

6.根据权利要求1-5任一项所述的控制方法，其特征在于，所述控制步...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅生长过程的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：采用统一的生长配方来控制碳化硅的生长过程；

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括加热线圈自动复位；

3.根据权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括生长腔密封性自动判定；

4.根据权利要求1～3任一项所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括自动进行测温孔对准；

5.根据权利要求1-4任一项所述的控制方法，其特征在于，所述控制步骤包括全自动温度控制模式...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈颖超，袁振洲，刘欣宇，
申请(专利权)人：江苏超芯星半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：