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本发明提供了一种碳化硅生长过程的控制方法、碳化硅与装置，所述控制方法包括：采用统一的生长配方来控制碳化硅的生长过程；所述生长配方包括碳化硅的生长过程中所有的控制步骤，及所述控制步骤中所有的控制参数。本发明提供的控制方法通过将碳化硅生长过程中...
该专利属于江苏超芯星半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏超芯星半导体有限公司授权不得商用。

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