【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ibc太阳能电池领域，尤其涉及背接触太阳能电池的背面结构及背接触太阳能电池。
技术介绍
1、ibc电池即叉指状背接触电池，是一种正面无任何电极遮挡，将发射区和基区均设计于电池背面的一种新型结构电池，即背面既有p区，也有n区；如果硅片采用p型硅片，n区即为发射区，也就是pn结区，p区即为基区；如果硅片采用n型硅片，基区为n区，发射区为p区。发射结区在硅片背面的面积占比会影响ibc电池的转换效率，理论上比例大于70％以上效率会有明显的提升；但是p和n区是交替均匀分布在硅片的背面，发射结的比例也很难无限制的增大。
2、现有技术的p型硅片背面结构如图1所示，p区宽度大于正电极副栅线宽度，正电极副栅线宽度大于激光开槽区宽度；由于正电极副栅线一般采用al副栅线，其宽度一般较大，为90～200微米；为了防止正电极副栅线短路，必须将p区宽度做大，使其大于al副栅线宽度；这样导致p区的面积较大，同理会导致发射区比例的下降。这种设计下ibc电池的转换效率的提升受到很大的限制。因此需要开发一种ibc电池，使其发射结比例大大提升，从而提升
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1.一种背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，包括交替分布的发射结区和基区，所述基区周围设有绝缘区，所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线，所述发射结区上设置有负电极副栅线，所述基区中设置有激光开槽区，所述正电极副栅线的宽度大于所述基区的宽度，并且所述正电极副栅线覆盖所述激光开槽区和所述基区。
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述基区包括若干个相互间隔的第一基区，若干个所述第一基区排列在同一水平线上；
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光开槽区的宽度小于所述基区的宽度；
4.根...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，包括交替分布的发射结区和基区，所述基区周围设有绝缘区，所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线，所述发射结区上设置有负电极副栅线，所述基区中设置有激光开槽区，所述正电极副栅线的宽度大于所述基区的宽度，并且所述正电极副栅线覆盖所述激光开槽区和所述基区。
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述基区包括若干个相互间隔的第一基区，若干个所述第一基区排列在同一水平线上；
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光开槽区的宽度小于所述基区的宽度；
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光开槽区的宽度为20μm~40μm；
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背...
【专利技术属性】
技术研发人员：石强，李懋鸿，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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