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本技术公开了一种背接触太阳能电池的背面结构,所述背面结构包括交替分布的发射结区和基区,所述基区周围设有绝缘区,所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线,所述发射结区上设置有负电极副栅线,所述基区中设置有激光开槽区,所述正电极副栅线的宽度...该专利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。
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本技术公开了一种背接触太阳能电池的背面结构,所述背面结构包括交替分布的发射结区和基区,所述基区周围设有绝缘区,所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线,所述发射结区上设置有负电极副栅线,所述基区中设置有激光开槽区,所述正电极副栅线的宽度...