【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、磁性随机存取存储器是一种非易失性的存储器，它拥有静态随机存储器的高速读写能力，以及动态随机存储器的高集成度。但是，现有磁性随机存储器的存储单元面积大，存储密度低，从而限制了磁性随机存储器的广泛应用。因此，如何改善磁性随机存储器的存储单元结构，提升磁性随机存储器的存储密度成为目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决
技术介绍
中存在的技术问题而提供一种半导体结构及其制造方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、位于所述衬底上方的组件单元，所述组件单元包括二极管、位于所述二极管上方的磁性隧道结结构以及位于所述组件单元上方的自旋轨道矩提供层；其中，
5、沿自下往上的方向，所述二极管结构依次包括第一极和第二极，所述磁性隧道结结构依次包括第一端和第二端，所述第二极与所述第一端电连接，所述自旋轨道矩提供层与所述第二
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
9.一种半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在提供所述衬底之后，形成所述二极管之前，所述方法还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓阳，王晓光，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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