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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上方的组件单元，所述组件单元包括二极管、位于所述二极管上方的磁性隧道结结构以及位于所述组件单元上方的自旋轨道矩提供层；其中，沿自下往上的方向，所述二极管结构...
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